
光伏效應(Photovoltaic Effect)是指某些半導體材料在受到光照時,其内部産生電動勢或電流的物理現象。該現象的本質是光子能量被材料吸收後,激發電子從價帶躍遷至導帶,形成光生載流子,從而在材料兩端産生電勢差。
從技術原理分析,光伏效應包含三個關鍵過程:①光吸收與載流子激發,光子能量需大于半導體材料的禁帶寬度;②載流子分離,在PN結内建電場作用下,電子-空穴對被分離;③載流子收集,通過電極形成閉合回路産生電流。此過程符合能量守恒定律,滿足公式: $$ E_{photon} geq E_g $$ 其中$E_g$為半導體禁帶寬度。
該效應在太陽能利用領域具有核心地位。根據《中國電力百科全書》記載,光伏效應自1839年由法國物理學家貝克勒爾發現後,經愛因斯坦光量子理論完善,現已成為可再生能源技術的重要基礎。現代光伏電池轉化效率理論極限由肖克利-奎伊瑟方程描述: $$ eta{max} = frac{P{max}}{P{in}} = frac{J{sc}V{oc}FF}{P{in}} $$ 中國國家能源局數據顯示,當前主流晶矽電池量産效率已達24%以上。
光伏效應,全稱光生伏特效應(Photovoltaic Effect),是指半導體材料在光照條件下産生電動勢和電流的現象。以下是詳細解釋:
光伏效應是指當光子能量大于半導體材料的禁帶寬度時,光子被吸收并激發電子從價帶躍遷到導帶,形成自由電子和空穴對。這些電荷在材料内部電場(如PN結)作用下分離,從而産生電流。這一效應是太陽能發電的核心原理,實現了光能到電能的直接轉換。
光子吸收與電子激發
光子能量需滿足:
$$
E{text{photon}} geq E{text{gap}}
$$
其中,( E_{text{gap}} )為半導體禁帶寬度。滿足條件時,電子吸收能量躍遷至導帶,形成電子-空穴對。
電荷分離與電流形成
在PN結的内建電場作用下,電子和空穴分别向N區和P區移動,形成電勢差。當外部電路連通時,電荷定向流動産生電流。
當前光伏電池效率已突破33%,材料從矽基擴展到鈣钛礦等新型半導體,推動碳中和目标實現。
以上内容綜合了半導體物理機制、曆史沿革及實際應用,如需進一步了解公式推導或技術細節,可參考來源文獻。
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