
【計】 planar process; planar technology
平面工藝(Planar Process)是半導體制造中的核心集成電路技術,指在平坦的晶圓表面通過一系列步驟(如氧化、光刻、刻蝕、擴散、沉積)形成晶體管和互連結構的方法。其核心在于通過光刻技術實現微米/納米級圖形的精确轉移和疊加,最終在單晶矽片上構建多層電路。以下是具體解析:
平面化結構
區别于早期台面晶體管(Mesa Transistor),平面工藝使所有器件結構均在同一平面内制造,表面平坦化利于後續光刻對準和金屬布線。關鍵技術包括:
核心優勢
核心流程
步驟 | 作用 | 技術實例 |
---|---|---|
氧化 | 形成絕緣層或掩膜層 | 幹氧/濕氧氧化法 |
光刻 | 圖形轉移(分辨率決定特征尺寸) | 深紫外光刻(DUV)、極紫外(EUV) |
刻蝕 | 選擇性去除材料(濕法/幹法) | 反應離子刻蝕(RIE) |
離子注入 | 精确控制摻雜濃度與深度 | 淺結注入、阱區注入 |
CVD/PVD | 沉積金屬/介質層(如多晶矽栅、鋁/銅互連) | LPCVD、濺射沉積 |
技術演進
應用領域
權威文獻參考
《半導體制造技術》(Semiconductor Manufacturing Technology)
作者:Michael Quirk, Julian Serda(普倫蒂斯霍爾出版社)
第4章詳細分析平面工藝步驟與設備原理
IEEE電子器件協會(EDS)發布《CMOS工藝技術路線圖》
涵蓋平面工藝向3D結構的演進挑戰
SEMI标準(如SEMI F32-1106)規範晶圓表面平坦度檢測方法
中文術語 | 英文術語 | 定義場景 |
---|---|---|
平面工藝 | Planar Process | 集成電路制造基礎流程 |
光刻 | Photolithography | 圖形轉移核心技術 |
離子注入 | Ion Implantation | 摻雜工藝 |
化學機械抛光 | Chemical Mechanical Polishing | 晶圓表面平坦化 |
互連層 | Metal Interconnect | 多層布線結構 |
說明:因搜索結果未提供直接可引用的網頁鍊接,以上内容基于半導體制造領域公認技術文獻與行業标準整理。建議用戶通過IEEE Xplore、SEMI官網或專業教材(如S.M. Sze著作)獲取第一手資料以驗證細節。
“平面工藝”是一個多領域術語,具體含義需結合上下文。以下是兩種主要解釋方向:
定義:平面工藝(Planar Process/Technology)是半導體器件和集成電路制造的核心技術,起源于1960年,通過一系列表面處理步驟在矽片平面上形成器件結構。
特點:
核心工藝步驟(以矽基器件為例):
應用:廣泛應用于二極管、晶體管、集成電路等半導體器件的工業化生産。
在藝術設計領域,“平面工藝”指印刷品或視覺作品制作中的技術手段,例如:
注:若您的問題指向其他領域(如材料加工或藝術設計),建議補充具體場景以獲得更精準的解釋。
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