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平面工藝英文解釋翻譯、平面工藝的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【計】 planar process; planar technology

相關詞條:

1.planarprocess  2.PlaneTechnology  

分詞翻譯:

平面的英語翻譯:

flat; plane; surface
【醫】 flat; plane; planum

工藝的英語翻譯:

craft; technics; technology
【計】 MOS technology
【化】 methodology
【經】 technology

專業解析

平面工藝(Planar Process)是半導體制造中的核心集成電路技術,指在平坦的晶圓表面通過一系列步驟(如氧化、光刻、刻蝕、擴散、沉積)形成晶體管和互連結構的方法。其核心在于通過光刻技術實現微米/納米級圖形的精确轉移和疊加,最終在單晶矽片上構建多層電路。以下是具體解析:


一、術語定義與技術原理

  1. 平面化結構

    區别于早期台面晶體管(Mesa Transistor),平面工藝使所有器件結構均在同一平面内制造,表面平坦化利于後續光刻對準和金屬布線。關鍵技術包括:

    • 氧化層生長:高溫下在矽表面生成二氧化矽絕緣層(如LOCOS隔離技術)。
    • 光刻圖形化:通過光刻膠、掩膜版和曝光設備定義器件區域。
    • 選擇性摻雜:離子注入或擴散法形成PN結(如雙極工藝中的基區/發射區)。
  2. 核心優勢

    • 高集成度:支持多層金屬互連(如銅互連技術),實現複雜電路集成。
    • 可重複性:晶圓級批量加工,降低單個器件成本。
    • 兼容性:適用于CMOS、BiCMOS等主流工藝。

二、關鍵工藝步驟與技術演進

  1. 核心流程

    步驟 作用 技術實例
    氧化 形成絕緣層或掩膜層 幹氧/濕氧氧化法
    光刻 圖形轉移(分辨率決定特征尺寸) 深紫外光刻(DUV)、極紫外(EUV)
    刻蝕 選擇性去除材料(濕法/幹法) 反應離子刻蝕(RIE)
    離子注入 精确控制摻雜濃度與深度 淺結注入、阱區注入
    CVD/PVD 沉積金屬/介質層(如多晶矽栅、鋁/銅互連) LPCVD、濺射沉積
  2. 技術演進

    • 摩爾定律推動:從微米級(1970s)到納米級(<7nm FinFET)。
    • 新材料應用:高k金屬栅(HKMG)、钴/钌互連取代鋁/銅。
    • 3D集成:FinFET、GAA晶體管突破平面結構物理極限。

三、行業應用與權威參考

  1. 應用領域

    • 數字集成電路:CPU/GPU(英特爾、台積電5nm工藝)。
    • 模拟/RF芯片:功率放大器(GaAs工藝兼容平面技術)。
    • MEMS傳感器:矽基壓力傳感器刻蝕工藝。
  2. 權威文獻參考

    • 經典教材:

      《半導體制造技術》(Semiconductor Manufacturing Technology

      作者:Michael Quirk, Julian Serda(普倫蒂斯霍爾出版社)

      第4章詳細分析平面工藝步驟與設備原理

    • 技術白皮書:

      IEEE電子器件協會(EDS)發布《CMOS工藝技術路線圖》

      涵蓋平面工藝向3D結構的演進挑戰

    • 行業标準:

      SEMI标準(如SEMI F32-1106)規範晶圓表面平坦度檢測方法


四、漢英術語對照

中文術語 英文術語 定義場景
平面工藝 Planar Process 集成電路制造基礎流程
光刻 Photolithography 圖形轉移核心技術
離子注入 Ion Implantation 摻雜工藝
化學機械抛光 Chemical Mechanical Polishing 晶圓表面平坦化
互連層 Metal Interconnect 多層布線結構

說明:因搜索結果未提供直接可引用的網頁鍊接,以上内容基于半導體制造領域公認技術文獻與行業标準整理。建議用戶通過IEEE Xplore、SEMI官網或專業教材(如S.M. Sze著作)獲取第一手資料以驗證細節。

網絡擴展解釋

“平面工藝”是一個多領域術語,具體含義需結合上下文。以下是兩種主要解釋方向:

一、半導體制造領域的平面工藝

定義:平面工藝(Planar Process/Technology)是半導體器件和集成電路制造的核心技術,起源于1960年,通過一系列表面處理步驟在矽片平面上形成器件結構。

特點:

  1. 表面平坦化:所有電極引線均在同一平面,便于集成化;
  2. 穩定性強:二氧化矽保護層避免PN結污染,提升器件可靠性;
  3. 工藝标準化:兼容外延、氧化、光刻、擴散等标準化流程。

核心工藝步驟(以矽基器件為例):

  1. 薄膜制備:外延生長、氧化、化學氣相沉積(CVD)等;
  2. 摻雜技術:擴散法或離子注入法改變材料電學特性;
  3. 圖形加工:光刻技術結合掩模版實現微米級電路圖案。

應用:廣泛應用于二極管、晶體管、集成電路等半導體器件的工業化生産。

二、平面設計領域的工藝

在藝術設計領域,“平面工藝”指印刷品或視覺作品制作中的技術手段,例如:


注:若您的問題指向其他領域(如材料加工或藝術設計),建議補充具體場景以獲得更精準的解釋。

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