
【计】 planar process; planar technology
平面工艺(Planar Process)是半导体制造中的核心集成电路技术,指在平坦的晶圆表面通过一系列步骤(如氧化、光刻、刻蚀、扩散、沉积)形成晶体管和互连结构的方法。其核心在于通过光刻技术实现微米/纳米级图形的精确转移和叠加,最终在单晶硅片上构建多层电路。以下是具体解析:
平面化结构
区别于早期台面晶体管(Mesa Transistor),平面工艺使所有器件结构均在同一平面内制造,表面平坦化利于后续光刻对准和金属布线。关键技术包括:
核心优势
核心流程
步骤 | 作用 | 技术实例 |
---|---|---|
氧化 | 形成绝缘层或掩膜层 | 干氧/湿氧氧化法 |
光刻 | 图形转移(分辨率决定特征尺寸) | 深紫外光刻(DUV)、极紫外(EUV) |
刻蚀 | 选择性去除材料(湿法/干法) | 反应离子刻蚀(RIE) |
离子注入 | 精确控制掺杂浓度与深度 | 浅结注入、阱区注入 |
CVD/PVD | 沉积金属/介质层(如多晶硅栅、铝/铜互连) | LPCVD、溅射沉积 |
技术演进
应用领域
权威文献参考
《半导体制造技术》(Semiconductor Manufacturing Technology)
作者:Michael Quirk, Julian Serda(普伦蒂斯霍尔出版社)
第4章详细分析平面工艺步骤与设备原理
IEEE电子器件协会(EDS)发布《CMOS工艺技术路线图》
涵盖平面工艺向3D结构的演进挑战
SEMI标准(如SEMI F32-1106)规范晶圆表面平坦度检测方法
中文术语 | 英文术语 | 定义场景 |
---|---|---|
平面工艺 | Planar Process | 集成电路制造基础流程 |
光刻 | Photolithography | 图形转移核心技术 |
离子注入 | Ion Implantation | 掺杂工艺 |
化学机械抛光 | Chemical Mechanical Polishing | 晶圆表面平坦化 |
互连层 | Metal Interconnect | 多层布线结构 |
说明:因搜索结果未提供直接可引用的网页链接,以上内容基于半导体制造领域公认技术文献与行业标准整理。建议用户通过IEEE Xplore、SEMI官网或专业教材(如S.M. Sze著作)获取第一手资料以验证细节。
“平面工艺”是一个多领域术语,具体含义需结合上下文。以下是两种主要解释方向:
定义:平面工艺(Planar Process/Technology)是半导体器件和集成电路制造的核心技术,起源于1960年,通过一系列表面处理步骤在硅片平面上形成器件结构。
特点:
核心工艺步骤(以硅基器件为例):
应用:广泛应用于二极管、晶体管、集成电路等半导体器件的工业化生产。
在艺术设计领域,“平面工艺”指印刷品或视觉作品制作中的技术手段,例如:
注:若您的问题指向其他领域(如材料加工或艺术设计),建议补充具体场景以获得更精准的解释。
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