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平面工艺英文解释翻译、平面工艺的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【计】 planar process; planar technology

相关词条:

1.planarprocess  2.PlaneTechnology  

分词翻译:

平面的英语翻译:

flat; plane; surface
【医】 flat; plane; planum

工艺的英语翻译:

craft; technics; technology
【计】 MOS technology
【化】 methodology
【经】 technology

专业解析

平面工艺(Planar Process)是半导体制造中的核心集成电路技术,指在平坦的晶圆表面通过一系列步骤(如氧化、光刻、刻蚀、扩散、沉积)形成晶体管和互连结构的方法。其核心在于通过光刻技术实现微米/纳米级图形的精确转移和叠加,最终在单晶硅片上构建多层电路。以下是具体解析:


一、术语定义与技术原理

  1. 平面化结构

    区别于早期台面晶体管(Mesa Transistor),平面工艺使所有器件结构均在同一平面内制造,表面平坦化利于后续光刻对准和金属布线。关键技术包括:

    • 氧化层生长:高温下在硅表面生成二氧化硅绝缘层(如LOCOS隔离技术)。
    • 光刻图形化:通过光刻胶、掩膜版和曝光设备定义器件区域。
    • 选择性掺杂:离子注入或扩散法形成PN结(如双极工艺中的基区/发射区)。
  2. 核心优势

    • 高集成度:支持多层金属互连(如铜互连技术),实现复杂电路集成。
    • 可重复性:晶圆级批量加工,降低单个器件成本。
    • 兼容性:适用于CMOS、BiCMOS等主流工艺。

二、关键工艺步骤与技术演进

  1. 核心流程

    步骤 作用 技术实例
    氧化 形成绝缘层或掩膜层 干氧/湿氧氧化法
    光刻 图形转移(分辨率决定特征尺寸) 深紫外光刻(DUV)、极紫外(EUV)
    刻蚀 选择性去除材料(湿法/干法) 反应离子刻蚀(RIE)
    离子注入 精确控制掺杂浓度与深度 浅结注入、阱区注入
    CVD/PVD 沉积金属/介质层(如多晶硅栅、铝/铜互连) LPCVD、溅射沉积
  2. 技术演进

    • 摩尔定律推动:从微米级(1970s)到纳米级(<7nm FinFET)。
    • 新材料应用:高k金属栅(HKMG)、钴/钌互连取代铝/铜。
    • 3D集成:FinFET、GAA晶体管突破平面结构物理极限。

三、行业应用与权威参考

  1. 应用领域

    • 数字集成电路:CPU/GPU(英特尔、台积电5nm工艺)。
    • 模拟/RF芯片:功率放大器(GaAs工艺兼容平面技术)。
    • MEMS传感器:硅基压力传感器刻蚀工艺。
  2. 权威文献参考

    • 经典教材:

      《半导体制造技术》(Semiconductor Manufacturing Technology

      作者:Michael Quirk, Julian Serda(普伦蒂斯霍尔出版社)

      第4章详细分析平面工艺步骤与设备原理

    • 技术白皮书:

      IEEE电子器件协会(EDS)发布《CMOS工艺技术路线图》

      涵盖平面工艺向3D结构的演进挑战

    • 行业标准:

      SEMI标准(如SEMI F32-1106)规范晶圆表面平坦度检测方法


四、汉英术语对照

中文术语 英文术语 定义场景
平面工艺 Planar Process 集成电路制造基础流程
光刻 Photolithography 图形转移核心技术
离子注入 Ion Implantation 掺杂工艺
化学机械抛光 Chemical Mechanical Polishing 晶圆表面平坦化
互连层 Metal Interconnect 多层布线结构

说明:因搜索结果未提供直接可引用的网页链接,以上内容基于半导体制造领域公认技术文献与行业标准整理。建议用户通过IEEE Xplore、SEMI官网或专业教材(如S.M. Sze著作)获取第一手资料以验证细节。

网络扩展解释

“平面工艺”是一个多领域术语,具体含义需结合上下文。以下是两种主要解释方向:

一、半导体制造领域的平面工艺

定义:平面工艺(Planar Process/Technology)是半导体器件和集成电路制造的核心技术,起源于1960年,通过一系列表面处理步骤在硅片平面上形成器件结构。

特点:

  1. 表面平坦化:所有电极引线均在同一平面,便于集成化;
  2. 稳定性强:二氧化硅保护层避免PN结污染,提升器件可靠性;
  3. 工艺标准化:兼容外延、氧化、光刻、扩散等标准化流程。

核心工艺步骤(以硅基器件为例):

  1. 薄膜制备:外延生长、氧化、化学气相沉积(CVD)等;
  2. 掺杂技术:扩散法或离子注入法改变材料电学特性;
  3. 图形加工:光刻技术结合掩模版实现微米级电路图案。

应用:广泛应用于二极管、晶体管、集成电路等半导体器件的工业化生产。

二、平面设计领域的工艺

在艺术设计领域,“平面工艺”指印刷品或视觉作品制作中的技术手段,例如:


注:若您的问题指向其他领域(如材料加工或艺术设计),建议补充具体场景以获得更精准的解释。

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