晶體管掩模英文解釋翻譯、晶體管掩模的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 transistor mask

分詞翻譯：

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

掩模的英語翻譯：

【計】 masking

專業解析

晶體管掩模是半導體制造領域的核心工藝組件，其英文為"transistor mask"或"photolithography mask"。該術語指代在集成電路加工過程中，通過光刻技術将電路圖形轉移到矽片上的精密模闆。其核心功能是通過控制光線的透射與阻擋，定義晶體管及其他電子元件的微觀結構。

從技術實現角度，晶體管掩模通常由石英基闆塗覆鉻層構成，表面刻蝕出納米級電路圖案。根據光刻機類型（如DUV或EUV），掩模的圖形精度可達5nm以下，直接影響芯片的性能與良率。在多層布線工藝中，單個芯片制造需使用數十套不同功能的掩模組，每套對應特定工藝層的光刻工序。

國際半導體技術路線圖（ITRS）将掩模技術列為摩爾定律延續的關鍵要素。權威研究表明，掩模缺陷密度需低于0.01個/cm²才能滿足先進制程需求（參考來源：IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing）。行業标準組織SEMI制定的MASK系列規範，則詳細規定了掩模材料、尺寸公差及檢測方法等技術參數（參考來源：SEMI Standards）。

網絡擴展解釋

晶體管掩模是半導體制造中的關鍵工具，主要用于光刻工藝中定義晶體管結構。以下是其核心要點：

基本定義
晶體管掩模是一種不透明的圖形模闆（通常為玻璃或石英基闆鍍鉻制成），其表面刻有晶體管設計圖案。在光刻過程中，它像"底片"一樣将電路圖形轉移到矽片上。
核心作用
- 區域選擇性處理：通過遮擋特定區域，控制後續的蝕刻、離子注入或擴散工藝僅作用于非遮擋區域
- 結構定義：精确形成晶體管的源極、漏極、栅極等微觀結構（精度可達納米級）
- 多層對準：現代芯片需20-50層掩模，每層對應不同工藝步驟，需納米級對準精度
技術特點
- 材料要求：需具備高透光性（深紫外波段）和低熱膨脹系數
- 制作工藝：采用電子束直寫技術，将設計版圖轉化為物理圖形
- 分類：分為二元掩模（完全透光/遮光）和相移掩模（利用光相位增強分辨率）
行業現狀
先進制程（如3nm）掩模成本可達300-500萬美元/套，占芯片制造成本約30%。當前主流掩模尺寸為6英寸（152mm），正向9英寸過渡以支持更大晶圓生産。

該技術直接決定了晶體管的性能和芯片集成度，是摩爾定律延續的核心支撐技術之一。掩模設計錯誤将導緻整批晶圓報廢，因此需經過嚴格的光學鄰近校正（OPC）和多重驗證流程。