晶体管掩模英文解释翻译、晶体管掩模的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 transistor mask

分词翻译：

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

掩模的英语翻译：

【计】 masking

专业解析

晶体管掩模是半导体制造领域的核心工艺组件，其英文为"transistor mask"或"photolithography mask"。该术语指代在集成电路加工过程中，通过光刻技术将电路图形转移到硅片上的精密模板。其核心功能是通过控制光线的透射与阻挡，定义晶体管及其他电子元件的微观结构。

从技术实现角度，晶体管掩模通常由石英基板涂覆铬层构成，表面刻蚀出纳米级电路图案。根据光刻机类型（如DUV或EUV），掩模的图形精度可达5nm以下，直接影响芯片的性能与良率。在多层布线工艺中，单个芯片制造需使用数十套不同功能的掩模组，每套对应特定工艺层的光刻工序。

国际半导体技术路线图（ITRS）将掩模技术列为摩尔定律延续的关键要素。权威研究表明，掩模缺陷密度需低于0.01个/cm²才能满足先进制程需求（参考来源：IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing）。行业标准组织SEMI制定的MASK系列规范，则详细规定了掩模材料、尺寸公差及检测方法等技术参数（参考来源：SEMI Standards）。

网络扩展解释

晶体管掩模是半导体制造中的关键工具，主要用于光刻工艺中定义晶体管结构。以下是其核心要点：

基本定义
晶体管掩模是一种不透明的图形模板（通常为玻璃或石英基板镀铬制成），其表面刻有晶体管设计图案。在光刻过程中，它像"底片"一样将电路图形转移到硅片上。
核心作用
- 区域选择性处理：通过遮挡特定区域，控制后续的蚀刻、离子注入或扩散工艺仅作用于非遮挡区域
- 结构定义：精确形成晶体管的源极、漏极、栅极等微观结构（精度可达纳米级）
- 多层对准：现代芯片需20-50层掩模，每层对应不同工艺步骤，需纳米级对准精度
技术特点
- 材料要求：需具备高透光性（深紫外波段）和低热膨胀系数
- 制作工艺：采用电子束直写技术，将设计版图转化为物理图形
- 分类：分为二元掩模（完全透光/遮光）和相移掩模（利用光相位增强分辨率）
行业现状
先进制程（如3nm）掩模成本可达300-500万美元/套，占芯片制造成本约30%。当前主流掩模尺寸为6英寸（152mm），正向9英寸过渡以支持更大晶圆生产。

该技术直接决定了晶体管的性能和芯片集成度，是摩尔定律延续的核心支撑技术之一。掩模设计错误将导致整批晶圆报废，因此需经过严格的光学邻近校正（OPC）和多重验证流程。