又稱“晶體二極管”。具有單向導電性的二端器件。按材料分有鍺、矽或*********；按結構分有點接觸、pn結、pin、肖特基勢壘、異質結；按原理分有隧道、變容、雪崩和階躍恢複等。主要用于檢波、混頻、參量放大、開關、穩壓、整流等。光通信發展後，出現發光、光電、雪崩光電、pin光電、半導體激光等二極管。
半導體二極管（semiconductor diode）是一種具有單向導電特性的基礎電子器件，其核心結構由P型半導體和N型半導體結合形成的PN結構成。根據《現代漢語詞典》及電子工程領域的定義，其詳細釋義如下：
半導體二極管又稱晶體二極管，屬于非線性兩端器件。當陽極（P區）接高電位、陰極（N區）接低電位（正向偏置）時導通電流；反向連接時阻斷電流（反向截止），這一特性稱為整流效應。其符號表示為：
$$ text{—▶|—} $$
（箭頭方向表示正向電流流向）
來源：《現代漢語詞典》（第7版）電子器件條目；《電子學名詞》（科學出版社）。
正向導通電壓阈值：矽管約0.6–0.7V，鍺管約0.2–0.3V；反向擊穿電壓可達數十至數千伏。
電流隨電壓呈指數關系變化，公式近似為：
$$ I = I_S(e^{frac{V}{nV_T}} - 1) $$
其中$I_S$為反向飽和電流，$V_T$為熱電壓（26mV@室溫）。
導通/截止狀态轉換時間可達納秒級，適用于高頻電路。來源：《半導體器件物理》（施敏著）。
權威參考文獻：
半導體二極管是一種基礎且應用廣泛的半導體器件，其核心特性是單向導電性。以下從結構、原理、特性、分類和應用五個方面詳細解釋：
二極管由P型半導體和N型半導體結合形成PN結構成。P型半導體富含空穴（正電荷載流子），N型半導體富含自由電子（負電荷載流子）。兩者接觸後，界面處形成耗盡層，阻止載流子自由移動。
正向偏置（P接正極，N接負極）
外加電壓削弱耗盡層，電子從N區向P區移動，空穴從P區向N區移動，形成電流。此時二極管導通，呈現低電阻。
反向偏置（P接負極，N接正極）
外加電壓加寬耗盡層，阻礙載流子流動，僅有微小反向飽和電流。若反向電壓超過擊穿電壓，會發生雪崩擊穿或齊納擊穿，電流驟增。
半導體二極管因其高效、可靠和低成本的特點，成為電子電路中不可或缺的元件。實際應用中需根據具體需求選擇類型和參數。
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