又称“晶体二极管”。具有单向导电性的二端器件。按材料分有锗、硅或*********；按结构分有点接触、pn结、pin、肖特基势垒、异质结；按原理分有隧道、变容、雪崩和阶跃恢复等。主要用于检波、混频、参量放大、开关、稳压、整流等。光通信发展后，出现发光、光电、雪崩光电、pin光电、半导体激光等二极管。
半导体二极管（semiconductor diode）是一种具有单向导电特性的基础电子器件，其核心结构由P型半导体和N型半导体结合形成的PN结构成。根据《现代汉语词典》及电子工程领域的定义，其详细释义如下：
半导体二极管又称晶体二极管，属于非线性两端器件。当阳极（P区）接高电位、阴极（N区）接低电位（正向偏置）时导通电流；反向连接时阻断电流（反向截止），这一特性称为整流效应。其符号表示为：
$$ text{—▶|—} $$
（箭头方向表示正向电流流向）
来源：《现代汉语词典》（第7版）电子器件条目；《电子学名词》（科学出版社）。
正向导通电压阈值：硅管约0.6–0.7V，锗管约0.2–0.3V；反向击穿电压可达数十至数千伏。
电流随电压呈指数关系变化，公式近似为：
$$ I = I_S(e^{frac{V}{nV_T}} - 1) $$
其中$I_S$为反向饱和电流，$V_T$为热电压（26mV@室温）。
导通/截止状态转换时间可达纳秒级，适用于高频电路。来源：《半导体器件物理》（施敏著）。
权威参考文献：
半导体二极管是一种基础且应用广泛的半导体器件，其核心特性是单向导电性。以下从结构、原理、特性、分类和应用五个方面详细解释：
二极管由P型半导体和N型半导体结合形成PN结构成。P型半导体富含空穴（正电荷载流子），N型半导体富含自由电子（负电荷载流子）。两者接触后，界面处形成耗尽层，阻止载流子自由移动。
正向偏置（P接正极，N接负极）
外加电压削弱耗尽层，电子从N区向P区移动，空穴从P区向N区移动，形成电流。此时二极管导通，呈现低电阻。
反向偏置（P接负极，N接正极）
外加电压加宽耗尽层，阻碍载流子流动，仅有微小反向饱和电流。若反向电压超过击穿电压，会发生雪崩击穿或齐纳击穿，电流骤增。
半导体二极管因其高效、可靠和低成本的特点，成为电子电路中不可或缺的元件。实际应用中需根据具体需求选择类型和参数。
白蝯辨似常宁沉着翠縠大保呆木箪食壶浆德薄才鲜断绝犯性飞驲风矩逢占个头儿故败颔车好离好散宏浚花光家喻户晓嗟丘镜子紧隣锦鳞书九集窭子坑煞卢秦马粪慢官茂衍每日里迷稀儜儿怒马坯料平天冠谱主千夫长戕害敧器齐齐整整权责取撮热客任圣童三五月三衣神庙折死石华娥绿是样泰甚他年颓山五老峰乌蛮鬼饷事闲翫