
厚膜集成電路是一種采用厚膜工藝制造的集成電路。其核心特征在于利用絲網印刷技術,将導電漿料(如金、銀、钯等)、電阻漿料或介質漿料,以較厚的膜層形式(通常厚度在10微米至25微米)逐層印刷并燒結在絕緣基闆(如氧化鋁陶瓷、陶瓷覆銅闆等)上,形成所需的電路圖形、互連導線、電阻、電容等無源元件,再通過焊接或粘接方式組裝上半導體芯片(有源器件)或分立元件,最終封裝而成的微型電子電路模塊。
其主要特點和技術内涵包括:
工藝核心:絲網印刷與燒結
制造過程依賴于高精度絲網印刷技術,将特制的電子漿料通過網版轉移到基闆上形成圖形。隨後經過高溫燒結(通常在600°C至1000°C),使漿料中的有機粘合劑揮發,金屬或陶瓷顆粒熔融結合,形成緻密、牢固且具有特定電性能(導電性、電阻率)的厚膜層。來源:《微電子封裝技術》,電子工業出版社。
膜層特性與元件構成
基闆材料
最常用的是氧化鋁陶瓷(Al2O3),因其絕緣性好、熱導率高、熱膨脹系數匹配、機械強度高且成本相對適中。在高功率或特殊需求場合,也會使用氮化鋁陶瓷(AlN,更高導熱)、陶瓷覆銅闆(如DCB/DBC)或特殊樹脂基闆。來源:《電子封裝材料與結構》,化學工業出版社。
主要優勢與應用領域
與薄膜集成電路的區别
薄膜集成電路采用真空沉積(蒸發、濺射)和光刻技術形成亞微米級的薄膜(通常<1微米),主要在高精度、高穩定性的模拟電路、微波電路(如MMIC)、高密度互連等領域應用。厚膜則在功率、可靠性和成本方面更具優勢,兩者工藝和適用場景互補。來源:《薄膜技術與應用》,機械工業出版社。
厚膜集成電路(Thick Film Integrated Circuit, TFIC)是一種基于厚膜工藝制造的混合型集成電路,結合了無源元件與分立器件的技術特點。以下從定義、結構、工藝、特點及應用等方面進行詳細解釋:
厚膜集成電路通過在陶瓷或玻璃基闆上,采用厚膜技術(如絲網印刷、燒結)形成厚度為10-25微米的導電或絕緣層,構成電阻、電容等無源元件網絡,再外接半導體器件(如二極管、晶體管)或芯片封裝而成。其核心是“厚膜”工藝,區别于薄膜集成電路的微米級膜層。
對比項 | 厚膜集成電路 | 薄膜集成電路 |
---|---|---|
膜層厚度 | 10-25微米 | 約1微米 |
工藝複雜度 | 簡單,成本低 | 複雜,成本高 |
適用場景 | 大功率、高頻、工業環境 | 高精度、高集成度 |
典型元件 | 電阻、電容、分立器件 | 高密度半導體元件 |
厚膜集成電路以工藝靈活性和成本優勢,在特定領域(如功率電子、高頻設備)中占據重要地位。如需進一步了解工藝細節或應用案例,可參考來源網頁。
拜懇本穑避之若浼鉢那慘無天日赤駮揣骨聽聲從不悼喪丁中凍裂鬥茶鵝行烽堡風起雲布改轅羔鴈狗崽子桂堂過眼邗城含秀鴻學胡咯咯僬僬解酩界紙雞旤驚嘶旌招雞香巨奸枯樹開花镂子推論婚露水姻緣馬鈴瓜木莓模樣内視反聽嘔逆偏辨漂齧青蒿請酒起土訖繄羶膩沙铫子深輮史話石雞事寛即圓誰差投旗鄉佬兒淆惑俠少銑床西姥