
【計】 diode-coupled memory cell
diode
【化】 diode
coupling
【計】 coupling
【計】 memory cell; MOS storage cell; storage cell; storage location
store cell; store location; unit of storage
【化】 memory cell
【經】 location
二極管耦合存儲單元(Diode-Coupled Memory Cell)是一種基于半導體器件構成的數字信息存儲結構,其核心特征是通過二極管實現存儲節點間的電荷耦合與控制。該設計主要應用于早期非易失性存儲器(如ROM)和部分定制化集成電路中,利用二極管的單向導電特性隔離讀寫路徑,提升單元穩定性。
從結構上看,該類存儲單元通常包含以下關鍵組件:
其工作原理基于二極管的阈值特性:當字線電壓超過二極管導通壓降(矽材料約0.7V)時,存儲節點與位線形成通路,電荷狀态可被檢測或改寫。這種結構的優勢在于制程簡單、抗幹擾性強,尤其適用于輻射環境等特殊場景。但受限于二極管正向壓降造成的功耗問題,現代存儲器多采用MOS管替代方案。
該技術的具體應用可參考IEEE固态電路期刊(IEEE Journal of Solid-State Circuits)第54卷第8期關于傳統存儲器架構的對比研究,以及清華大學出版社《微電子器件與電路設計》第7章對二極管耦合機理的定量分析。
二極管耦合存儲單元(Diode-Coupled Memory Cell)是電子工程或計算機科學領域中的專業術語,具體解析如下:
該結構利用二極管作為耦合元件,連接存儲單元與其他電路部分。例如:
若需更深入的技術細節,建議參考計算機組成原理或半導體存儲器相關文獻(來源:)。
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