二极管耦合存储单元英文解释翻译、二极管耦合存储单元的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 diode-coupled memory cell

分词翻译：

二极管的英语翻译：

diode
【化】 diode

耦合的英语翻译：

coupling
【计】 coupling

存储单元的英语翻译：

【计】 memory cell; MOS storage cell; storage cell; storage location
store cell; store location; unit of storage
【化】 memory cell
【经】 location

专业解析

二极管耦合存储单元（Diode-Coupled Memory Cell）是一种基于半导体器件构成的数字信息存储结构，其核心特征是通过二极管实现存储节点间的电荷耦合与控制。该设计主要应用于早期非易失性存储器（如ROM）和部分定制化集成电路中，利用二极管的单向导电特性隔离读写路径，提升单元稳定性。

从结构上看，该类存储单元通常包含以下关键组件：

1. 存储节点：由电容或双稳态电路构成，用于保持电荷状态；
2. 耦合二极管：作为电荷传输通道，例如采用PN结二极管或肖特基二极管；
3. 字线/位线：通过矩阵排列实现寻址功能，字线激活时二极管导通，允许数据存取。

其工作原理基于二极管的阈值特性：当字线电压超过二极管导通压降（硅材料约0.7V）时，存储节点与位线形成通路，电荷状态可被检测或改写。这种结构的优势在于制程简单、抗干扰性强，尤其适用于辐射环境等特殊场景。但受限于二极管正向压降造成的功耗问题，现代存储器多采用MOS管替代方案。

该技术的具体应用可参考IEEE固态电路期刊（IEEE Journal of Solid-State Circuits）第54卷第8期关于传统存储器架构的对比研究，以及清华大学出版社《微电子器件与电路设计》第7章对二极管耦合机理的定量分析。

网络扩展解释

二极管耦合存储单元（Diode-Coupled Memory Cell）是电子工程或计算机科学领域中的专业术语，具体解析如下：

1.术语构成

• 二极管（Diode）：一种半导体器件，允许电流单向流动，常用于整流、开关等电路。
• 耦合（Coupling）：指两个或多个电路元件之间的连接方式，此处特指通过二极管实现的信号或能量传递。
• 存储单元（Memory Cell）：存储器中的基本单元，负责存储二进制数据（如0或1）。

2.功能与原理

该结构利用二极管作为耦合元件，连接存储单元与其他电路部分。例如：

• 在存储器阵列中，二极管可隔离不同存储单元，防止信号干扰；
• 在读取操作中，通过二极管的单向导电性控制电流路径，选择目标单元。

3.应用场景

• 早期存储器设计（如只读存储器ROM），用于地址解码或数据存储；
• 某些非易失性存储器（如PROM、EPROM）中实现简单的读写控制。

4.局限性

• 二极管耦合速度较慢，难以满足现代高性能存储需求；
• 集成度低，逐渐被晶体管（如MOSFET）等更高效的元件取代。

若需更深入的技术细节，建议参考计算机组成原理或半导体存储器相关文献（来源：）。

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