
【計】 tunnel junction
隧道結(Tunnel Junction)是量子力學與電子工程領域的核心概念,指兩種不同材料通過極薄勢壘層(通常為1-3納米)形成的電子隧穿結構。其核心特征包括:
量子隧穿效應
基于海森堡不确定性原理,當勢壘層薄至納米級時,電子可概率性穿透經典力學禁止的能量壁壘。該現象由江崎玲於奈在1957年實驗驗證,并成為半導體器件理論基礎。
材料組合特性
常見結構包括超導體-絕緣體-超導體(SIS)和鐵磁體-絕緣體-非磁體(FM-I-NM),如Al/AlOx/Al組合被廣泛應用于約瑟夫森結器件,該設計規範載于《IEEE超導電路标準》(IEEE Std 1137-2019)。
核心應用領域
• 量子計算機中的相位量子比特(IBM Research, 2023)
• 磁阻隨機存儲器(MRAM)的數據存儲單元
• 單電子晶體管中的電荷敏感性元件(美國物理聯合會《應用物理快報》)
參數體系
關鍵指标包含隧穿電阻($R_t$)、臨界電流密度($J_c$)和電容率($varepsilon_r$),其相互關系遵循Simmons隧穿方程:
$$ J = frac{3esqrt{2mphi}}{8pi h d} expleft(-frac{4pi dsqrt{2mphi}}{h}right) $$
其中$d$為勢壘厚度,$phi$為勢壘高度,該公式載于《固态電子器件物理學》(第6版)。
“隧道結”是一個量子力學概念,指允許粒子穿越勢壘的特殊結構,主要應用于超導和半導體領域,具體可分為以下兩類:
由超導體(S)-絕緣層(I)-超導體/正常金屬(S/N)組成,例如:
典型代表為隧道二極管(江崎二極管):
隧道效應本質是粒子穿越經典力學禁區的量子行為,江崎玲於奈因發現半導體中的隧穿現象獲諾貝爾物理學獎。超導和半導體隧道結的研究推動了低溫電子學、量子計算等領域的發展。
如需進一步了解具體器件(如SQUID或隧道二極管)的工作原理,可參考相關文獻或物理教材。
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