
【计】 tunnel junction
隧道结(Tunnel Junction)是量子力学与电子工程领域的核心概念,指两种不同材料通过极薄势垒层(通常为1-3纳米)形成的电子隧穿结构。其核心特征包括:
量子隧穿效应
基于海森堡不确定性原理,当势垒层薄至纳米级时,电子可概率性穿透经典力学禁止的能量壁垒。该现象由江崎玲於奈在1957年实验验证,并成为半导体器件理论基础。
材料组合特性
常见结构包括超导体-绝缘体-超导体(SIS)和铁磁体-绝缘体-非磁体(FM-I-NM),如Al/AlOx/Al组合被广泛应用于约瑟夫森结器件,该设计规范载于《IEEE超导电路标准》(IEEE Std 1137-2019)。
核心应用领域
• 量子计算机中的相位量子比特(IBM Research, 2023)
• 磁阻随机存储器(MRAM)的数据存储单元
• 单电子晶体管中的电荷敏感性元件(美国物理联合会《应用物理快报》)
参数体系
关键指标包含隧穿电阻($R_t$)、临界电流密度($J_c$)和电容率($varepsilon_r$),其相互关系遵循Simmons隧穿方程:
$$ J = frac{3esqrt{2mphi}}{8pi h d} expleft(-frac{4pi dsqrt{2mphi}}{h}right) $$
其中$d$为势垒厚度,$phi$为势垒高度,该公式载于《固态电子器件物理学》(第6版)。
“隧道结”是一个量子力学概念,指允许粒子穿越势垒的特殊结构,主要应用于超导和半导体领域,具体可分为以下两类:
由超导体(S)-绝缘层(I)-超导体/正常金属(S/N)组成,例如:
典型代表为隧道二极管(江崎二极管):
隧道效应本质是粒子穿越经典力学禁区的量子行为,江崎玲於奈因发现半导体中的隧穿现象获诺贝尔物理学奖。超导和半导体隧道结的研究推动了低温电子学、量子计算等领域的发展。
如需进一步了解具体器件(如SQUID或隧道二极管)的工作原理,可参考相关文献或物理教材。
【别人正在浏览】