逆向電阻英文解釋翻譯、逆向電阻的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 reverse resistance

分詞翻譯：

逆向的英語翻譯：

converse
【計】 negative direction

電阻的英語翻譯：

resistance
【計】 ohmic resistance; R
【化】 resistance
【醫】 resistance

專業解析

在電子工程領域，"逆向電阻"（nì xiàng diàn zǔ）指電子元件（如二極管、晶體管）在反向偏置狀态下呈現的電阻特性，其英文對應術語為Reverse Resistance 或Backward Resistance。以下是詳細解釋：

一、核心定義

物理意義
當電壓以與元件正常工作方向相反的方式施加時（如二極管陽極接負電壓、陰極接正電壓），元件内部載流子運動受阻，形成高阻态。此時測得的電阻值即為逆向電阻，通常遠大于正向電阻值。該特性是半導體器件單向導電性的基礎。
數學表達
逆向電阻 ( R_r ) 的計算公式為：

$$ R_r = frac{V_r}{I_r} $$

其中 ( V_r ) 為反向電壓，( I_r ) 為反向漏電流。理想二極管中 ( I_r approx 0 )，故 ( R_r to infty )，但實際器件存在微小漏電流。

二、工程應用特性

影響電路性能的關鍵參數
- 阻斷能力：高逆向電阻可降低反向漏電流，提升器件能效（如整流電路中減少能量損耗）。
- 溫度敏感性：逆向電阻隨溫度升高而顯著下降，設計時需考慮散熱（例：矽二極管每升溫8°C，漏電流約翻倍）。

典型器件差異

器件類型	典型逆向電阻範圍	應用場景
矽二極管	1 MΩ – 100 GΩ	電源整流、信號隔離
肖特基二極管	100 kΩ – 10 MΩ	高頻開關電路
Zener二極管	動态變化	穩壓保護（反向擊穿區）

三、權威定義參考

IEEE标準定義

"Reverse Resistance: The resistance exhibited by a semiconductor device when biased in the non-conducting direction, quantified by the ratio of reverse voltage to reverse current."
—— IEEE Standard Dictionary of Electrical and Electronics Terms
學術文獻補充
清華大學《電子技術基礎》強調："逆向電阻的測量需在标準溫度（25°C）下進行，避免因熱載流子效應導緻測試偏差"。

四、相關概念拓展

反向擊穿（Reverse Breakdown）：當反向電壓超過阈值時，逆向電阻急劇下降，電流劇增（如齊納擊穿、雪崩擊穿）。
反向恢複時間（Reverse Recovery Time, ( t_{rr} )）：二極管從導通到完全阻斷所需時間，與逆向電阻共同影響開關速度。

資料來源：

高等教育出版社《半導體物理與器件》
清華大學出版社《電子技術基礎》
IEEE Xplore《Power Diode Characterization Techniques》
IEEE Std 100-2022《IEEE标準電氣與電子術語詞典》

網絡擴展解釋

“逆向電阻”通常指電子元件（如二極管）在反向偏置狀态下的電阻值，即電流方向與元件正常工作方向相反時的電阻。以下是詳細解釋：

1.定義與原理

基本概念：逆向電阻（Reverse Resistance）是元件在反向電壓下對電流的阻礙作用。例如，二極管在反向偏置時，内部PN結的内電場增強，阻礙多數載流子運動，導緻電阻極大。
與正向電阻對比：正向電阻通常較小（幾歐至幾千歐），而逆向電阻可達兆歐級别，兩者差異可達百萬倍。

2.特性與影響因素

高阻特性：正常反向電壓下，逆向電阻極大，電流極小（如微安級），近似絕緣體。
擊穿現象：當反向電壓超過擊穿阈值時，電阻急劇下降，電流驟增（如齊納擊穿或雪崩擊穿）。
溫度影響：溫度升高會降低逆向電阻，因熱激發産生更多載流子。

3.測量方法

萬用表測量：将萬用表調至電阻檔，紅表筆接二極管陰極，黑表筆接陽極，顯示值為逆向電阻（通常顯示“OL”表示超量程）。

4.應用場景

電子開關：利用正/逆向電阻差異實現單向導通。
穩壓電路：通過控制反向擊穿電壓實現穩壓（如齊納二極管）。

術語說明

“逆向電阻”與“反向電阻”為同一概念，英文均為reverse resistance。在工程中更常用“反向電阻”表述。