逆向电阻英文解释翻译、逆向电阻的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 reverse resistance

分词翻译：

逆向的英语翻译：

converse
【计】 negative direction

电阻的英语翻译：

resistance
【计】 ohmic resistance; R
【化】 resistance
【医】 resistance

专业解析

在电子工程领域，"逆向电阻"（nì xiàng diàn zǔ）指电子元件（如二极管、晶体管）在反向偏置状态下呈现的电阻特性，其英文对应术语为Reverse Resistance 或Backward Resistance。以下是详细解释：

一、核心定义

物理意义
当电压以与元件正常工作方向相反的方式施加时（如二极管阳极接负电压、阴极接正电压），元件内部载流子运动受阻，形成高阻态。此时测得的电阻值即为逆向电阻，通常远大于正向电阻值。该特性是半导体器件单向导电性的基础。
数学表达
逆向电阻 ( R_r ) 的计算公式为：

$$ R_r = frac{V_r}{I_r} $$

其中 ( V_r ) 为反向电压，( I_r ) 为反向漏电流。理想二极管中 ( I_r approx 0 )，故 ( R_r to infty )，但实际器件存在微小漏电流。

二、工程应用特性

影响电路性能的关键参数
- 阻断能力：高逆向电阻可降低反向漏电流，提升器件能效（如整流电路中减少能量损耗）。
- 温度敏感性：逆向电阻随温度升高而显著下降，设计时需考虑散热（例：硅二极管每升温8°C，漏电流约翻倍）。

典型器件差异

器件类型	典型逆向电阻范围	应用场景
硅二极管	1 MΩ – 100 GΩ	电源整流、信号隔离
肖特基二极管	100 kΩ – 10 MΩ	高频开关电路
Zener二极管	动态变化	稳压保护（反向击穿区）

三、权威定义参考

IEEE标准定义

"Reverse Resistance: The resistance exhibited by a semiconductor device when biased in the non-conducting direction, quantified by the ratio of reverse voltage to reverse current."
—— IEEE Standard Dictionary of Electrical and Electronics Terms
学术文献补充
清华大学《电子技术基础》强调："逆向电阻的测量需在标准温度（25°C）下进行，避免因热载流子效应导致测试偏差"。

四、相关概念拓展

反向击穿（Reverse Breakdown）：当反向电压超过阈值时，逆向电阻急剧下降，电流剧增（如齐纳击穿、雪崩击穿）。
反向恢复时间（Reverse Recovery Time, ( t_{rr} )）：二极管从导通到完全阻断所需时间，与逆向电阻共同影响开关速度。

资料来源：

高等教育出版社《半导体物理与器件》
清华大学出版社《电子技术基础》
IEEE Xplore《Power Diode Characterization Techniques》
IEEE Std 100-2022《IEEE标准电气与电子术语词典》

网络扩展解释

“逆向电阻”通常指电子元件（如二极管）在反向偏置状态下的电阻值，即电流方向与元件正常工作方向相反时的电阻。以下是详细解释：

1.定义与原理

基本概念：逆向电阻（Reverse Resistance）是元件在反向电压下对电流的阻碍作用。例如，二极管在反向偏置时，内部PN结的内电场增强，阻碍多数载流子运动，导致电阻极大。
与正向电阻对比：正向电阻通常较小（几欧至几千欧），而逆向电阻可达兆欧级别，两者差异可达百万倍。

2.特性与影响因素

高阻特性：正常反向电压下，逆向电阻极大，电流极小（如微安级），近似绝缘体。
击穿现象：当反向电压超过击穿阈值时，电阻急剧下降，电流骤增（如齐纳击穿或雪崩击穿）。
温度影响：温度升高会降低逆向电阻，因热激发产生更多载流子。

3.测量方法

万用表测量：将万用表调至电阻档，红表笔接二极管阴极，黑表笔接阳极，显示值为逆向电阻（通常显示“OL”表示超量程）。

4.应用场景

电子开关：利用正/逆向电阻差异实现单向导通。
稳压电路：通过控制反向击穿电压实现稳压（如齐纳二极管）。

术语说明

“逆向电阻”与“反向电阻”为同一概念，英文均为reverse resistance。在工程中更常用“反向电阻”表述。