空虛層電容量英文解釋翻譯、空虛層電容量的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 depletion-layer capacitance

分詞翻譯：

空虛的英語翻譯：

blankness; vacancy; airiness; emptiness; hollowness; vacuity

層的英語翻譯：

layer; region; stage; story; stratum; tier
【計】 layer
【醫】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum

電的英語翻譯：

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

容量的英語翻譯：

capability; capacitance; capacity; size; volume
【計】 CAP; capacity
【化】 capacity; holding capacity
【醫】 capacity; volume
【經】 capacity measure; cubic measure

專業解析

空虛層電容量（Depletion Layer Capacitance）是半導體器件物理中的核心概念，指PN結在反向偏置條件下耗盡層區域形成的電容特性。該電容由耗盡層内離子化的施主與受主電荷構成，其數值與外加電壓、半導體材料參數及結區幾何結構密切相關。

從物理機制分析，耗盡層電容遵循平行闆電容器模型： $$ C = frac{varepsilon A}{d} $$ 其中$varepsilon$為材料介電常數，$A$為結區面積，$d$為耗盡層寬度。耗盡層寬度$d$隨反向偏置電壓$V_R$增大呈非線性擴展，滿足： $$ d propto sqrt{VR + V{bi}} $$ $V_{bi}$為内建電勢。

工程應用中，該參數直接影響二極管開關速度、變容二極管調諧精度及MOSFET阈值電壓穩定性。美國加州大學伯克利分校微電子實驗室實測數據顯示，典型矽基PN結在5V反向偏壓下，單位面積電容值約0.1-0.5fF/μm²（參考：Semiconductor Devices: Theory and Application, James Fiore, 2019）。

網絡擴展解釋

"空虛層電容量"是一個結合半導體物理與電容概念的術語，可拆解為兩部分解釋：

1. 空虛層（Depletion Layer）
在半導體器件（如PN結）中，空虛層指電荷載流子（電子或空穴）被耗盡形成的區域。當P型和N型半導體結合時，交界處因載流子擴散形成内建電場，導緻該區域缺乏自由電荷，呈現"空虛"狀态。

2. 電容量（Capacitance）
電容量表示導體儲存電荷的能力，計算公式為：
$$
C = frac{Q}{V}
$$
其中C是電容（單位：法拉），Q是儲存的電荷量，V是導體間電位差。在電容器中，電容量還取決于介質性質：
$$
C = frac{varepsilon A}{d}
$$
（ε為介電常數，A為極闆面積，d為極闆間距）。

綜合解釋
"空虛層電容量"特指半導體耗盡層表現出的電容效應。當外加電壓改變耗盡層寬度（d）時，電容值隨之變化，這種特性被應用于變容二極管等器件中，通過電壓調控電容大小。例如，反向偏壓增大時，耗盡層變寬，電容量減小。