空虚层电容量英文解释翻译、空虚层电容量的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 depletion-layer capacitance

分词翻译：

空虚的英语翻译：

blankness; vacancy; airiness; emptiness; hollowness; vacuity

层的英语翻译：

layer; region; stage; story; stratum; tier
【计】 layer
【医】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum

电的英语翻译：

electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

容量的英语翻译：

capability; capacitance; capacity; size; volume
【计】 CAP; capacity
【化】 capacity; holding capacity
【医】 capacity; volume
【经】 capacity measure; cubic measure

专业解析

空虚层电容量（Depletion Layer Capacitance）是半导体器件物理中的核心概念，指PN结在反向偏置条件下耗尽层区域形成的电容特性。该电容由耗尽层内离子化的施主与受主电荷构成，其数值与外加电压、半导体材料参数及结区几何结构密切相关。

从物理机制分析，耗尽层电容遵循平行板电容器模型： $$ C = frac{varepsilon A}{d} $$ 其中$varepsilon$为材料介电常数，$A$为结区面积，$d$为耗尽层宽度。耗尽层宽度$d$随反向偏置电压$V_R$增大呈非线性扩展，满足： $$ d propto sqrt{VR + V{bi}} $$ $V_{bi}$为内建电势。

工程应用中，该参数直接影响二极管开关速度、变容二极管调谐精度及MOSFET阈值电压稳定性。美国加州大学伯克利分校微电子实验室实测数据显示，典型硅基PN结在5V反向偏压下，单位面积电容值约0.1-0.5fF/μm²（参考：Semiconductor Devices: Theory and Application, James Fiore, 2019）。

网络扩展解释

"空虚层电容量"是一个结合半导体物理与电容概念的术语，可拆解为两部分解释：

1. 空虚层（Depletion Layer）
在半导体器件（如PN结）中，空虚层指电荷载流子（电子或空穴）被耗尽形成的区域。当P型和N型半导体结合时，交界处因载流子扩散形成内建电场，导致该区域缺乏自由电荷，呈现"空虚"状态。

2. 电容量（Capacitance）
电容量表示导体储存电荷的能力，计算公式为：
$$
C = frac{Q}{V}
$$
其中C是电容（单位：法拉），Q是储存的电荷量，V是导体间电位差。在电容器中，电容量还取决于介质性质：
$$
C = frac{varepsilon A}{d}
$$
（ε为介电常数，A为极板面积，d为极板间距）。

综合解释
"空虚层电容量"特指半导体耗尽层表现出的电容效应。当外加电压改变耗尽层宽度（d）时，电容值随之变化，这种特性被应用于变容二极管等器件中，通过电压调控电容大小。例如，反向偏压增大时，耗尽层变宽，电容量减小。