砷化铟英文解釋翻譯、砷化铟的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【建】 indium arsenide

分詞翻譯：

砷的英語翻譯：

arsenic
【醫】 arsen-; arsenic; arsenicum; arsenium; arseno-; arsenum; As.

化的英語翻譯：

burn up; change; convert; melt; spend; turn

铟的英語翻譯：

indium
【醫】 In; indium

專業解析

砷化铟（Indium Arsenide，化學式：InAs）是一種III-V族化合物半導體材料，由铟（In）和砷（As）元素按1:1化學計量比構成。其晶體結構為立方閃鋅礦型（Zincblende），晶格常數為6.058 Å。該材料在室溫下具有窄帶隙特性（約0.36 eV），電子遷移率高達40,000 cm²/(V·s)，使其在太赫茲頻率器件和紅外光電子領域具有顯著優勢。

主要應用領域包括：

高頻電子器件：用于制造高電子遷移率晶體管（HEMT）和單片微波集成電路（MMIC），在5G通信和雷達系統中發揮關鍵作用（來源：IEEE Xplore）
紅外探測器：波長響應範圍覆蓋1-3.8微米，適用于夜視儀和光纖通信系統（來源：ScienceDirect）
量子計算：作為拓撲量子比特的基底材料，在量子霍爾效應研究中表現突出（來源：Nature Materials）

該材料的制備主要采用分子束外延（MBE）和金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）技術，表面需進行硫化铵鈍化處理以降低界面态密度（來源：AZoNano）。在毒性方面，砷化铟需按危險化學品規範存儲，操作時須佩戴防毒面具和耐酸堿手套（來源：PubChem）。

參考資料鍊接：

晶體結構數據 https://en.wikipedia.org/wiki/Indium_arsenide

電子遷移率參數 https://pubchem.ncbi.nlm.nih.gov/compound/Indium-arsenide

紅外應用研究 https://www.sciencedirect.com/topics/materials-science/indium-arsenide

網絡擴展解釋

砷化铟是由铟（In）和砷（As）構成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料，化學式為InAs，CAS號為1303-11-3。以下是其詳細解釋：

1.基本性質

物理形态：常溫下為銀灰色固體，具有閃鋅礦型晶體結構，晶格常數為0.6058 nm，固态密度為5.66 g/cm³，液态（熔點時）密度為5.90 g/cm³。
熱學性質：熔點為936–942℃，不同來源數據略有差異。
能帶結構：直接躍遷型半導體，300K時禁帶寬度為0.45 eV。

2.物理化學特性

分子量：189.74 g/mol。
電子特性：具有極高的電子遷移率和遷移速度，其性能優于矽材料，適合高頻、高速電子器件。

3.應用領域

半導體器件：用于制造納米晶體管、空穴元件和抗磁元件，尤其在低能耗、高速電子設備中潛力顯著。
材料集成：可通過超薄層（如10納米）集成在矽襯底上，兼容現有半導體工藝。

4.研究價值

作為矽的替代材料，砷化铟在高性能計算、光電子學等領域的研究持續深入，其優異的電學性能推動了新型電子設備的開發。

如需更詳細參數（如純度規格、供應商信息），可參考化工産品數據庫。