砷化铟英文解释翻译、砷化铟的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【建】 indium arsenide

分词翻译：

砷的英语翻译：

arsenic
【医】 arsen-; arsenic; arsenicum; arsenium; arseno-; arsenum; As.

化的英语翻译：

burn up; change; convert; melt; spend; turn

铟的英语翻译：

indium
【医】 In; indium

专业解析

砷化铟（Indium Arsenide，化学式：InAs）是一种III-V族化合物半导体材料，由铟（In）和砷（As）元素按1:1化学计量比构成。其晶体结构为立方闪锌矿型（Zincblende），晶格常数为6.058 Å。该材料在室温下具有窄带隙特性（约0.36 eV），电子迁移率高达40,000 cm²/(V·s)，使其在太赫兹频率器件和红外光电子领域具有显著优势。

主要应用领域包括：

高频电子器件：用于制造高电子迁移率晶体管（HEMT）和单片微波集成电路（MMIC），在5G通信和雷达系统中发挥关键作用（来源：IEEE Xplore）
红外探测器：波长响应范围覆盖1-3.8微米，适用于夜视仪和光纤通信系统（来源：ScienceDirect）
量子计算：作为拓扑量子比特的基底材料，在量子霍尔效应研究中表现突出（来源：Nature Materials）

该材料的制备主要采用分子束外延（MBE）和金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，表面需进行硫化铵钝化处理以降低界面态密度（来源：AZoNano）。在毒性方面，砷化铟需按危险化学品规范存储，操作时须佩戴防毒面具和耐酸碱手套（来源：PubChem）。

参考资料链接：

晶体结构数据 https://en.wikipedia.org/wiki/Indium_arsenide

电子迁移率参数 https://pubchem.ncbi.nlm.nih.gov/compound/Indium-arsenide

红外应用研究 https://www.sciencedirect.com/topics/materials-science/indium-arsenide

网络扩展解释

砷化铟是由铟（In）和砷（As）构成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，化学式为InAs，CAS号为1303-11-3。以下是其详细解释：

1.基本性质

物理形态：常温下为银灰色固体，具有闪锌矿型晶体结构，晶格常数为0.6058 nm，固态密度为5.66 g/cm³，液态（熔点时）密度为5.90 g/cm³。
热学性质：熔点为936–942℃，不同来源数据略有差异。
能带结构：直接跃迁型半导体，300K时禁带宽度为0.45 eV。

2.物理化学特性

分子量：189.74 g/mol。
电子特性：具有极高的电子迁移率和迁移速度，其性能优于硅材料，适合高频、高速电子器件。

3.应用领域

半导体器件：用于制造纳米晶体管、空穴元件和抗磁元件，尤其在低能耗、高速电子设备中潜力显著。
材料集成：可通过超薄层（如10纳米）集成在硅衬底上，兼容现有半导体工艺。

4.研究价值

作为硅的替代材料，砷化铟在高性能计算、光电子学等领域的研究持续深入，其优异的电学性能推动了新型电子设备的开发。

如需更详细参数（如纯度规格、供应商信息），可参考化工产品数据库。