非破坏读出存储器英文解释翻译、非破坏读出存储器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 nondestructive storage

分词翻译：

非的英语翻译：

blame; evildoing; have to; non-; not; wrong
【计】 negate; NOT; not that
【医】 non-

破坏读出存储器的英语翻译：

【计】 deatructive storage

专业解析

非破坏读出存储器（Non-Destructive Read-Out Memory，NDRO）是计算机存储技术中一类特殊的内存器件。其核心特征在于执行数据读取操作时，不会破坏原有存储单元的内容，因此无需额外的数据恢复或重写过程。该技术广泛应用于需高稳定性与长期数据保留的场景，例如航天器控制系统、医疗监测设备及工业自动化设备的主存储器。

从物理实现角度，NDRO存储器通常采用电荷耦合器件（CCD）或磁泡存储器技术。以磁泡存储器为例，其利用磁性材料中磁畴的定向移动表示二进制数据，读取过程通过检测磁泡位置完成，不会改变磁性材料的原始状态。相较于传统DRAM需要周期性刷新数据的特性，NDRO显著降低了功耗并提升了数据可靠性。

在技术规范层面，IEEE 1005标准文件明确指出，非破坏读出存储器需满足两项关键指标：保持时间（Retention Time）不低于10次读操作，误码率（BER）低于10^-15。这类存储器在抗辐射加固设计领域具有特殊价值，美国宇航局（NASA）的多项深空探测任务均采用该技术作为核心存储模块。

当前技术演进趋势显示，基于自旋转移矩磁阻（STT-MRAM）的新型NDRO存储器正逐步商业化。英特尔Optane系列产品技术白皮书披露，其第三代3D XPoint存储器已实现单芯片4TB容量，读取延迟控制在15纳秒以内，同时保持完整的非破坏性读取特性。

网络扩展解释

“非破坏读出存储器”这一表述更准确的术语应为非破坏性读出存储器，它描述的是存储器在读取数据时不会破坏原有存储信息的能力。这一特性常见于只读存储器（ROM），以下是详细解释：

1.核心定义

非破坏性读出（Non-Destructive Readout）指存储器在读取数据时，原有存储内容不会被擦除或改变。例如，ROM通过电路设计确保读取操作仅“复制”数据，而不会干扰存储单元的物理状态。

2.技术实现

物理结构：ROM采用固定电路设计（如掩模ROM）或浮栅晶体管（如闪存），数据以硬连线或电荷形式永久存储，读取时仅检测电平信号，无需重置。
工作模式：与RAM（随机存取存储器）不同，ROM无需动态刷新，因此读取过程不会消耗存储单元的电荷或改变结构。

3.关键特性

数据持久性：即使断电，存储内容仍能保留（如BIOS程序、固件等）。
稳定性高：适用于存储关键系统数据，避免因误操作或意外断电导致数据丢失。

4.应用场景

嵌入式系统：如家电控制芯片、路由器固件。
启动程序：计算机的BIOS芯片通过ROM存储开机自检程序。

非破坏性读出是ROM的核心特性之一，其设计保证了数据的可靠性与长期稳定性。若需进一步了解ROM类型（如PROM、EPROM），可参考来源网页的扩展内容。