負栅英文解釋翻譯、負栅的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 negative grid

分詞翻譯：

負的英語翻譯：

bear; tote; shoulder; suffer; minus; negative; owe; rely on; lose
【醫】 Lift

栅的英語翻譯：

bar

專業解析

負栅（Negative Gate）在電子工程領域指場效應晶體管（FET）中栅極施加相對于源極為負的電壓狀态。該術語對應英文"negative gate voltage"，常見于半導體器件操作分析。當栅極-源極電壓（V_GS）為負時，會形成耗盡層壓縮導電溝道，這種特性在結型場效應管（JFET）和耗盡型MOSFET中尤為顯著，其電流控制方程可表示為：

$$ ID = I{DSS} left( 1 - frac{V_{GS}}{V_P} right) $$

其中$I_{DSS}$為飽和漏電流，$V_P$為夾斷電壓。該工作模式廣泛應用于射頻放大器和開關電路設計。根據《IEEE電子器件術語标準》，負栅壓可有效降低器件功耗，但需注意避免進入雪崩擊穿區域。在功率MOSFET應用中，負栅驅動技術能顯著縮短關斷時間，提升開關電源效率，該原理在《功率半導體器件與應用》中有詳細數學推導。

網絡擴展解釋

“負栅”是一個與電子器件（尤其是場效應晶體管，FET）相關的專業術語，通常指栅極（Gate）施加的負電壓或負偏置條件。以下是詳細解釋：

核心概念

場效應晶體管（FET）中的栅極作用
栅極是控制器件導通與截止的關鍵電極。通過施加電壓，栅極電場會調節源極和漏極之間的導電通道寬度，從而控制電流大小。
負栅電壓的含義
- 定義：當栅極電壓（相對于源極）為負時，稱為“負栅壓”。
- 影響：負栅壓會改變器件的阈值電壓（Threshold Voltage），抑制導電通道的形成或擴展。
- 應用場景：常見于耗盡型MOSFET、JFET等器件中，用于關閉或調節電流。

具體作用

增強型MOSFET：負栅壓會進一步關閉器件，減少漏極電流。
耗盡型MOSFET：負栅壓可減小導電通道寬度，降低電流；正栅壓則擴展通道。
JFET：負栅壓直接夾斷導電通道，使器件截止。

實際應用

開關控制：通過負栅壓快速關斷器件，用于數字電路或電源管理。
放大器偏置：在模拟電路中，負栅壓可調節工作點，優化線性度。
保護功能：防止器件因過壓或靜電損傷而意外導通。

補充說明

若“負栅”出現在其他領域（如建築、文學），可能需要結合具體上下文進一步分析。但在電子工程中，其核心含義是明确的電壓控制機制。