负栅英文解释翻译、负栅的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 negative grid

分词翻译：

负的英语翻译：

bear; tote; shoulder; suffer; minus; negative; owe; rely on; lose
【医】 Lift

栅的英语翻译：

bar

专业解析

负栅（Negative Gate）在电子工程领域指场效应晶体管（FET）中栅极施加相对于源极为负的电压状态。该术语对应英文"negative gate voltage"，常见于半导体器件操作分析。当栅极-源极电压（V_GS）为负时，会形成耗尽层压缩导电沟道，这种特性在结型场效应管（JFET）和耗尽型MOSFET中尤为显著，其电流控制方程可表示为：

$$ ID = I{DSS} left( 1 - frac{V_{GS}}{V_P} right) $$

其中$I_{DSS}$为饱和漏电流，$V_P$为夹断电压。该工作模式广泛应用于射频放大器和开关电路设计。根据《IEEE电子器件术语标准》，负栅压可有效降低器件功耗，但需注意避免进入雪崩击穿区域。在功率MOSFET应用中，负栅驱动技术能显著缩短关断时间，提升开关电源效率，该原理在《功率半导体器件与应用》中有详细数学推导。

网络扩展解释

“负栅”是一个与电子器件（尤其是场效应晶体管，FET）相关的专业术语，通常指栅极（Gate）施加的负电压或负偏置条件。以下是详细解释：

核心概念

场效应晶体管（FET）中的栅极作用
栅极是控制器件导通与截止的关键电极。通过施加电压，栅极电场会调节源极和漏极之间的导电通道宽度，从而控制电流大小。
负栅电压的含义
- 定义：当栅极电压（相对于源极）为负时，称为“负栅压”。
- 影响：负栅压会改变器件的阈值电压（Threshold Voltage），抑制导电通道的形成或扩展。
- 应用场景：常见于耗尽型MOSFET、JFET等器件中，用于关闭或调节电流。

具体作用

增强型MOSFET：负栅压会进一步关闭器件，减少漏极电流。
耗尽型MOSFET：负栅压可减小导电通道宽度，降低电流；正栅压则扩展通道。
JFET：负栅压直接夹断导电通道，使器件截止。

实际应用

开关控制：通过负栅压快速关断器件，用于数字电路或电源管理。
放大器偏置：在模拟电路中，负栅压可调节工作点，优化线性度。
保护功能：防止器件因过压或静电损伤而意外导通。

补充说明

若“负栅”出现在其他领域（如建筑、文学），可能需要结合具体上下文进一步分析。但在电子工程中，其核心含义是明确的电压控制机制。