存儲電路英文解釋翻譯、存儲電路的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 memory circuit

分詞翻譯：

存儲的英語翻譯：

memory; storage
【計】 MU; storager
【經】 storage; store

電路的英語翻譯：

circuit; circuitry
【計】 electrocircuit
【化】 circuit; electric circuit
【醫】 circuit

專業解析

在電子工程領域，“存儲電路”指能夠存儲二進制信息（0或1）的電子電路單元，其英文對應術語為“Storage Circuit” 或更具體地稱為“Memory Circuit”、“Storage Element”。以下是其詳細解釋：

一、核心定義與技術本質

存儲電路是數字邏輯系統的基礎構件，利用電子元件的物理狀态（如電壓高低、電荷有無）來穩定保持數據位（bit），直至被主動改寫或斷電。其核心功能是實現數據的暫存或長期保留，為處理器運算、數據緩沖等提供支持。根據存儲原理可分為：

靜态存儲（Static Storage）：如觸發器（Flip-flop），通過交叉耦合的門電路（如兩個反相器）鎖定狀态，隻要供電即保持數據不變。
動态存儲（Dynamic Storage）：如DRAM單元，依靠電容電荷存儲數據，需定期刷新（Refresh）以避免電荷洩漏導緻數據丢失。

二、關鍵特征與實現方式

雙穩态特性（Bistability）
典型存儲電路（如SRAM的6晶體管單元）具有兩個穩定狀态，分别代表邏輯0和1。外部控制信號（時鐘、使能）觸發狀态切換，無信號時自動維持當前狀态。

來源：數字集成電路設計标準教材（如《CMOS VLSI Design》）。
時序控制依賴
存儲電路通常與時鐘信號同步操作（如D觸發器），确保數據在特定邊沿被采樣和保存，避免亞穩态（Metastability）問題。異步電路（如鎖存器，Latch）則通過電平敏感控制存儲。

來源：IEEE Transactions on Circuits and Systems文獻。
非易失性與易失性
- 易失性存儲（Volatile）：斷電後數據丢失（如SRAM、DRAM），依賴持續供電。
- 非易失性存儲（Non-volatile）：斷電後數據保留（如Flash、EEPROM），通過浮栅晶體管電荷存儲實現。
  來源：半導體存儲器技術手冊（如《Nonvolatile Memory Technologies》）。

三、典型應用場景

寄存器（Register）
CPU内部的高速存儲單元，由觸發器陣列構成，暫存指令或運算中間結果（例：x86架構的EAX寄存器）。

來源：計算機體系結構權威著作（如《Computer Organization and Design》）。

高速緩存（Cache）
多采用SRAM存儲電路，利用其快速讀寫特性減少CPU訪問主存的延遲。

主存儲器（Main Memory）
動态存儲電路（DRAM）因高密度、低成本成為主流選擇，廣泛用于計算機内存條。

配置存儲器
FPGA等可編程器件使用SRAM或Flash存儲電路保存邏輯配置信息。

四、相關術語中英對照

中文術語	英文術語	說明
觸發器	Flip-flop (FF)	邊沿觸發的雙穩态存儲單元
鎖存器	Latch	電平敏感型存儲單元
靜态隨機存儲器	Static RAM (SRAM)	無需刷新，高速但面積較大
動态隨機存儲器	Dynamic RAM (DRAM)	需周期性刷新，高密度低成本
隻讀存儲器	Read-Only Memory (ROM)	數據固化存儲，不可改寫
電可擦除存儲器	EEPROM	可字節級擦寫的非易失存儲

注：以上内容綜合電子工程學科核心理論與行業标準術語定義，主要參考數字電路設計、半導體存儲技術領域的經典學術文獻及工程手冊。

網絡擴展解釋

存儲電路是用于存儲二進制數據的電子電路，其核心功能是通過特定結構保存和讀取信息。以下是其關鍵要點：

一、基本概念

存儲單元：存儲電路的最小單位，能保存1位數據（0或1）。根據實現方式分為：
- 靜态存儲單元：由門電路構成（如鎖存器、觸發器），依靠正反饋保持狀态，斷電數據丢失。
- 動态存儲單元：利用電容電荷存儲數據，需定時刷新防止電荷洩漏，速度較慢但集成度高。
擴展結構：
- 寄存器：由多個觸發器組成，存儲一組數據（如8位寄存器）。
- 存儲器：大規模集成存儲單元，通過地址譯碼選中特定單元進行讀寫。

二、工作原理

地址譯碼：
- 輸入地址信號通過譯碼電路定位存儲矩陣中的目标單元（如行/列鎖存器協同定位）。
- 例如：8位地址需分時複用，通過RAS（行地址選通）和CAS（列地址選通）信號分步鎖定地址。
數據操作：
- 寫入：地址鎖定後，使能信號（WE）有效時，數據被寫入選中單元。
- 讀取：選中單元的數據通過輸出端口傳輸至外部電路。

三、典型應用

SRAM/DRAM：靜态RAM使用觸發器，動态RAM用電容存儲，後者需刷新電路。
存儲卡/芯片：如OMAP4460處理器通過地址總線管理片上存儲空間和外部存儲擴展。

四、補充說明

鎖存器基礎：如SR鎖存器通過交叉耦合門電路實現狀态保持，屬于異步控制型存儲單元。

若需了解具體芯片設計或更複雜的存儲架構，可參考權威教材或集成電路手冊（來源：、）。