英语翻译：

【计】 memory circuit

相关词条：

1.memorycircuit  

分词翻译：

存储的英语翻译：

memory; storage
【计】 MU; storager
【经】 storage; store

电路的英语翻译：

circuit; circuitry
【计】 electrocircuit
【化】 circuit; electric circuit
【医】 circuit

专业解析

在电子工程领域，“存储电路”指能够存储二进制信息（0或1）的电子电路单元，其英文对应术语为“Storage Circuit” 或更具体地称为“Memory Circuit”、“Storage Element”。以下是其详细解释：

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一、核心定义与技术本质

存储电路是数字逻辑系统的基础构件，利用电子元件的物理状态（如电压高低、电荷有无）来稳定保持数据位（bit），直至被主动改写或断电。其核心功能是实现数据的暂存或长期保留，为处理器运算、数据缓冲等提供支持。根据存储原理可分为：

• 静态存储（Static Storage）：如触发器（Flip-flop），通过交叉耦合的门电路（如两个反相器）锁定状态，只要供电即保持数据不变。
• 动态存储（Dynamic Storage）：如DRAM单元，依靠电容电荷存储数据，需定期刷新（Refresh）以避免电荷泄漏导致数据丢失。

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二、关键特征与实现方式

1. 双稳态特性（Bistability）

   典型存储电路（如SRAM的6晶体管单元）具有两个稳定状态，分别代表逻辑0和1。外部控制信号（时钟、使能）触发状态切换，无信号时自动维持当前状态。

   来源：数字集成电路设计标准教材（如《CMOS VLSI Design》）。

2. 时序控制依赖

   存储电路通常与时钟信号同步操作（如D触发器），确保数据在特定边沿被采样和保存，避免亚稳态（Metastability）问题。异步电路（如锁存器，Latch）则通过电平敏感控制存储。

   来源：IEEE Transactions on Circuits and Systems文献。

3. 非易失性与易失性

   • 易失性存储（Volatile）：断电后数据丢失（如SRAM、DRAM），依赖持续供电。
   • 非易失性存储（Non-volatile）：断电后数据保留（如Flash、EEPROM），通过浮栅晶体管电荷存储实现。

     来源：半导体存储器技术手册（如《Nonvolatile Memory Technologies》）。

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三、典型应用场景

1. 寄存器（Register）

   CPU内部的高速存储单元，由触发器阵列构成，暂存指令或运算中间结果（例：x86架构的EAX寄存器）。

   来源：计算机体系结构权威著作（如《Computer Organization and Design》）。

2. 高速缓存（Cache）

   多采用SRAM存储电路，利用其快速读写特性减少CPU访问主存的延迟。

3. 主存储器（Main Memory）

   动态存储电路（DRAM）因高密度、低成本成为主流选择，广泛用于计算机内存条。

4. 配置存储器

   FPGA等可编程器件使用SRAM或Flash存储电路保存逻辑配置信息。

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四、相关术语中英对照

中文术语	英文术语	说明
触发器	Flip-flop (FF)	边沿触发的双稳态存储单元
锁存器	Latch	电平敏感型存储单元
静态随机存储器	Static RAM (SRAM)	无需刷新，高速但面积较大
动态随机存储器	Dynamic RAM (DRAM)	需周期性刷新，高密度低成本
只读存储器	Read-Only Memory (ROM)	数据固化存储，不可改写
电可擦除存储器	EEPROM	可字节级擦写的非易失存储

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注：以上内容综合电子工程学科核心理论与行业标准术语定义，主要参考数字电路设计、半导体存储技术领域的经典学术文献及工程手册。

网络扩展解释

存储电路是用于存储二进制数据的电子电路，其核心功能是通过特定结构保存和读取信息。以下是其关键要点：

一、基本概念

1. 存储单元：存储电路的最小单位，能保存1位数据（0或1）。根据实现方式分为：

   • 静态存储单元：由门电路构成（如锁存器、触发器），依靠正反馈保持状态，断电数据丢失。
   • 动态存储单元：利用电容电荷存储数据，需定时刷新防止电荷泄漏，速度较慢但集成度高。

2. 扩展结构：

   • 寄存器：由多个触发器组成，存储一组数据（如8位寄存器）。
   • 存储器：大规模集成存储单元，通过地址译码选中特定单元进行读写。

二、工作原理

1. 地址译码：

   • 输入地址信号通过译码电路定位存储矩阵中的目标单元（如行/列锁存器协同定位）。
   • 例如：8位地址需分时复用，通过RAS（行地址选通）和CAS（列地址选通）信号分步锁定地址。

2. 数据操作：

   • 写入：地址锁定后，使能信号（WE）有效时，数据被写入选中单元。
   • 读取：选中单元的数据通过输出端口传输至外部电路。

三、典型应用

• SRAM/DRAM：静态RAM使用触发器，动态RAM用电容存储，后者需刷新电路。
• 存储卡/芯片：如OMAP4460处理器通过地址总线管理片上存储空间和外部存储扩展。

四、补充说明

• 锁存器基础：如SR锁存器通过交叉耦合门电路实现状态保持，属于异步控制型存储单元。

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若需了解具体芯片设计或更复杂的存储架构，可参考权威教材或集成电路手册（来源：、）。

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