矽栅英文解釋翻譯、矽栅的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 silicon gate

分詞翻譯：

矽的英語翻譯：

silicon
【醫】 Si; silicium; silicon

栅的英語翻譯：

bar

專業解析

矽栅（Silicon Gate）是半導體器件制造中的關鍵結構，指通過沉積、刻蝕等工藝在矽基闆上形成的導電栅極層。該技術廣泛應用于金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）中，用于控制源極和漏極之間的電流導通狀态。

從材料特性分析，矽栅采用多晶矽（Polycrystalline Silicon）作為栅極材料，相較于傳統金屬栅極，其優勢包括：

1. 熱穩定性高，可承受高溫工藝（如離子注入）；
2. 功函數可調，通過摻雜改變導電特性；
3. 與二氧化矽介質層形成理想界面，降低界面态密度。

在集成電路發展史上，矽栅技術推動器件尺寸微縮，使摩爾定律得以延續。美國電氣電子工程師協會（IEEE）數據顯示，采用矽栅工藝的芯片集成度比鋁栅工藝提升3倍以上。當前該技術已延伸至FinFET等三維結構器件制造中。

參考來源：

• 《半導體器件物理與工藝》（施敏著，Wiley出版社）
• IEEE電子器件會刊（IEEE Transactions on Electron Devices）
• 國際半導體技術發展路線圖（ITRS）白皮書

網絡擴展解釋

矽栅是金屬-氧化物-半導體（MOS）集成電路中的關鍵結構，指以摻雜多晶矽作為栅電極的技術。以下是其詳細解釋及相關特點：

一、基本定義與組成

矽栅由摻雜多晶矽材料構成，替代傳統鋁栅工藝中的金屬鋁。它形成于矽襯底上的二氧化矽（SiO₂）絕緣層表面，作為MOS晶體管的控制電極，通過電壓調控源漏極間的電流。

二、主要優點

1. 自對準作用
   矽栅工藝允許先制作栅極再進行源漏擴散，減少栅極與源漏區的交疊電容，提升器件響應速度。
2. 多層布線能力
   多晶矽電阻低（<100Ω/□），可作為互連層，表面覆蓋鈍化層後支持鋁線跨接，實現高密度電路設計。
3. 兼容性優化
   矽栅PMOS器件阈值電壓較低，能與雙極型電路的工作電壓匹配，增強集成電路的兼容性。

三、制作流程（簡要）

1. 生長緩沖層與栅氧化層；
2. 溝道區離子注入；
3. 化學氣相沉積（CVD）澱積多晶矽；
4. 摻雜多晶矽并光刻形成栅極圖形。

四、曆史與應用

矽栅技術自20世紀60年代逐步取代鋁栅，成為大規模集成電路的主流工藝，尤其在需要高集成度和高頻性能的芯片（如CPU、存儲器）中廣泛應用。

如需更深入的技術細節，可參考知網等學術文獻（來源1、3、4）。

分類

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