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硅栅英文解释翻译、硅栅的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【计】 silicon gate

分词翻译:

硅的英语翻译:

silicon
【医】 Si; silicium; silicon

栅的英语翻译:

bar

专业解析

硅栅(Silicon Gate)是半导体器件制造中的关键结构,指通过沉积、刻蚀等工艺在硅基板上形成的导电栅极层。该技术广泛应用于金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)中,用于控制源极和漏极之间的电流导通状态。

从材料特性分析,硅栅采用多晶硅(Polycrystalline Silicon)作为栅极材料,相较于传统金属栅极,其优势包括:

  1. 热稳定性高,可承受高温工艺(如离子注入);
  2. 功函数可调,通过掺杂改变导电特性;
  3. 与二氧化硅介质层形成理想界面,降低界面态密度。

在集成电路发展史上,硅栅技术推动器件尺寸微缩,使摩尔定律得以延续。美国电气电子工程师协会(IEEE)数据显示,采用硅栅工艺的芯片集成度比铝栅工艺提升3倍以上。当前该技术已延伸至FinFET等三维结构器件制造中。

参考来源:

网络扩展解释

硅栅是金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路中的关键结构,指以掺杂多晶硅作为栅电极的技术。以下是其详细解释及相关特点:

一、基本定义与组成

硅栅由掺杂多晶硅材料构成,替代传统铝栅工艺中的金属铝。它形成于硅衬底上的二氧化硅(SiO₂)绝缘层表面,作为MOS晶体管的控制电极,通过电压调控源漏极间的电流。

二、主要优点

  1. 自对准作用
    硅栅工艺允许先制作栅极再进行源漏扩散,减少栅极与源漏区的交叠电容,提升器件响应速度。
  2. 多层布线能力
    多晶硅电阻低(<100Ω/□),可作为互连层,表面覆盖钝化层后支持铝线跨接,实现高密度电路设计。
  3. 兼容性优化
    硅栅PMOS器件阈值电压较低,能与双极型电路的工作电压匹配,增强集成电路的兼容性。

三、制作流程(简要)

  1. 生长缓冲层与栅氧化层;
  2. 沟道区离子注入;
  3. 化学气相沉积(CVD)淀积多晶硅;
  4. 掺杂多晶硅并光刻形成栅极图形。

四、历史与应用

硅栅技术自20世纪60年代逐步取代铝栅,成为大规模集成电路的主流工艺,尤其在需要高集成度和高频性能的芯片(如CPU、存储器)中广泛应用。

如需更深入的技术细节,可参考知网等学术文献(来源1、3、4)。

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