
【计】 silicon gate
silicon
【医】 Si; silicium; silicon
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硅栅(Silicon Gate)是半导体器件制造中的关键结构,指通过沉积、刻蚀等工艺在硅基板上形成的导电栅极层。该技术广泛应用于金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)中,用于控制源极和漏极之间的电流导通状态。
从材料特性分析,硅栅采用多晶硅(Polycrystalline Silicon)作为栅极材料,相较于传统金属栅极,其优势包括:
在集成电路发展史上,硅栅技术推动器件尺寸微缩,使摩尔定律得以延续。美国电气电子工程师协会(IEEE)数据显示,采用硅栅工艺的芯片集成度比铝栅工艺提升3倍以上。当前该技术已延伸至FinFET等三维结构器件制造中。
参考来源:
硅栅是金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路中的关键结构,指以掺杂多晶硅作为栅电极的技术。以下是其详细解释及相关特点:
硅栅由掺杂多晶硅材料构成,替代传统铝栅工艺中的金属铝。它形成于硅衬底上的二氧化硅(SiO₂)绝缘层表面,作为MOS晶体管的控制电极,通过电压调控源漏极间的电流。
硅栅技术自20世纪60年代逐步取代铝栅,成为大规模集成电路的主流工艺,尤其在需要高集成度和高频性能的芯片(如CPU、存储器)中广泛应用。
如需更深入的技术细节,可参考知网等学术文献(来源1、3、4)。
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