絕緣基質單石電路英文解釋翻譯、絕緣基質單石電路的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 insulated substrate monolithic circuit

分詞翻譯：

絕緣的英語翻譯：

be isolated from; insulation
【醫】 insulate; insulation; isolate; isolation

基質的英語翻譯：

【醫】 base; base material; ground substance; ground-substance
interstitial substance; matrix; stroma; substantia basilaris; zymolite
zymolyte

單石電路的英語翻譯：

【電】 monolithic circuit

專業解析

"絕緣基質單石電路"是一個電子工程領域的專業術語，結合漢英詞典角度，其詳細含義可拆解和解釋如下：

術語拆解與漢英對照
- 絕緣 (Juéyuán / Insulation): 指材料阻止電流流動的特性。在電路中，絕緣材料用于隔離導電部分，防止短路或漏電。英文對應 "Insulation" 或 "Insulating"。
- 基質 (Jīzhì / Substrate): 指承載或支撐電路元件的基礎材料層。在集成電路中，這是芯片的物理基底。英文對應 "Substrate"。
- 單石 (Dānshí / Monolithic): 源于英文 "Monolithic"，意為 "單塊的"、"整體的"。在微電子學中，指所有電路元件（晶體管、電阻、電容、連線）都集成制造在同一塊半導體晶片（通常是矽）内部或表面上，形成一個不可分割的整體電路。中文常音譯為 "單石"。
- 電路 (Diànlù / Circuit): 指由電氣元件互聯構成的、具有特定功能的路徑。英文對應 "Circuit"。
- 組合 (Combination): "絕緣基質單石電路" (Juéyuán Jīzhì Dānshí Diànlù / Insulating Substrate Monolithic Circuit)。
整體含義解釋 "絕緣基質單石電路" 指的是一種制造在具有優異絕緣性能的基底材料上的單片集成電路。其核心特點包括：
- 單片集成 (Monolithic Integration): 所有有源（如晶體管）和無源（如電阻、電容）元件以及互連線，都通過半導體工藝（如光刻、摻雜、薄膜沉積、蝕刻）制作在同一塊半導體晶片（通常是矽片）上或其内部，形成一個不可分割的單一芯片。
- 絕緣基底 (Insulating Substrate): 與傳統的體矽 (Bulk Silicon) 基底不同，這種電路使用的基底材料本身具有很高的絕緣性。這帶來了顯著優勢：
  - 減少寄生電容 (Reduced Parasitic Capacitance): 元件與導電基底之間的電容大大降低，提高了電路速度（尤其在高頻下）并降低了功耗。
  - 消除闩鎖效應 (Latch-up Immunity): 在 CMOS 電路中，絕緣基底可以完全消除由寄生雙極晶體管引起的闩鎖效應，提高了電路的可靠性和魯棒性。
  - 更好的隔離 (Improved Isolation): 相鄰元件之間的電隔離性更好，減少了串擾，允許更高的集成密度。
技術背景與常見實現最常見的實現 "絕緣基質單石電路" 的技術是絕緣體上矽 (Silicon-on-Insulator, SOI) 技術：
- 結構: SOI 晶圓由三層組成：最上層是用于制造器件的薄矽層 (Device Layer)，中間是絕緣層（通常是二氧化矽，稱為 Buried Oxide 或 BOX），底層是支撐用的矽襯底 (Handle Wafer)。
- 工作原理: 有源器件（晶體管）制作在頂部的矽層中。中間的絕緣層（BOX）将頂部的器件矽層與底部的矽襯底隔離開來，實現了 "絕緣基質" 的特性。
- 優勢: SOI 技術完美體現了 "絕緣基質單石電路" 的優勢：高速、低功耗、抗輻射、抗闩鎖、良好的隔離性。它廣泛應用于高性能處理器、射頻電路、汽車電子、航空航天等領域。
與相關術語的區别
- 單片集成電路 (Monolithic Integrated Circuit): 這是更通用的術語，泛指所有集成在同一芯片上的電路，其基底可以是傳統的體矽或絕緣基底的 SOI。
- 絕緣體上矽 (SOI): 這是實現 "絕緣基質單石電路" 最主流、最具體的工藝技術。
- 混合集成電路 (Hybrid Integrated Circuit): 将多個獨立的半導體芯片（單片集成電路）和無源元件組裝在同一塊絕緣基闆（如陶瓷）上并互連而成。這與 "單石"（單片集成）的概念不同。

總結:

"絕緣基質單石電路" 特指采用具有高絕緣性能的材料作為基底的單片集成電路。其核心在于利用絕緣基底（如 SOI 技術中的埋氧層）來顯著提升電路性能（速度、功耗、抗幹擾、可靠性）。最常見的實現方式是絕緣體上矽 (SOI) 技術。該術語強調了基底材料的絕緣特性對單片集成電路性能的關鍵影響。

參考來源 (基于電子工程通用知識):

單片集成電路 (Monolithic Integrated Circuit): 這是微電子學的基礎概念。其定義和特點可在任何标準的半導體器件或集成電路教材中找到，例如 S. M. Sze 的 "Semiconductor Devices: Physics and Technology" 或 R. C. Jaeger 的 "Introduction to Microelectronic Fabrication"。 (概念通用，無單一鍊接)
絕緣體上矽 (SOI) 技術: SOI 是實現絕緣基質單石電路的關鍵技術。其原理、結構和優勢是半導體制造領域的标準知識。權威信息可參考：
- 國際半導體技術路線圖 (ITRS) 或其後繼者 IRDS (International Roadmap for Devices and Systems) 中關于 SOI 的讨論部分（需查閱其公開報告）。
- 主要半導體代工廠（如台積電 TSMC、格羅方德 GlobalFoundries、三星 Samsung）的技術文檔或白皮書（通常在官網技術庫部分，需具體查找）。
- 行業綜述文章或書籍章節，例如 "SOI Technology: Materials to VLSI" (Jean-Pierre Colinge) 等專著。 (技術通用，廠商文檔需具體查詢)
寄生電容與闩鎖效應: 這些是 CMOS 電路設計中的基本概念和挑戰。其原理和 SOI 的解決方案在标準的 CMOS 集成電路設計教材中均有詳細闡述，例如 J. M. Rabaey 的 "Digital Integrated Circuits: A Design Perspective"。 (概念通用，無單一鍊接)

(注：由于該術語是特定技術描述而非廣泛使用的獨立詞條，在标準漢英詞典中可能無直接對應。其解釋需基于電子工程專業知識。以上參考來源指向了理解該術語所需的核心概念和技術領域。)

網絡擴展解釋

“絕緣基質單石電路”是一個電子工程領域的專業術語，其核心含義可從以下角度解析：

1. 術語分解

絕緣基質（Insulated Substrate）：指采用絕緣材料作為電路基底，例如陶瓷、玻璃或高分子聚合物。這類材料能有效阻隔電流傳導，避免漏電或信號幹擾。
單石電路（Monolithic Circuit）：又稱單片集成電路，指将晶體管、電阻、電容等元件集成在同一塊基闆上，實現高密度微型化結構。

2. 整體含義

指以絕緣材料為基底的單片式集成電路，兼具兩種特性：

絕緣性：基底材料阻斷電流橫向擴散，提升高頻/高壓場景下的穩定性；
集成性：所有元件一體化制造，減少寄生效應，適用于微型化設備。

3. 典型應用

常見于高頻微波電路（如雷達模塊）、高功率器件（如電源管理芯片）等場景，因絕緣基底可降低損耗并提高耐壓能力。具體材料可能包括氧化鋁陶瓷（Al₂O₃）或氮化鋁（AlN）等。

注：由于該術語專業性較強，實際應用中需結合具體上下文進一步确認技術參數。如需擴展理解，可參考電子封裝材料或集成電路制造相關文獻。