绝缘基质单石电路英文解释翻译、绝缘基质单石电路的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 insulated substrate monolithic circuit

分词翻译：

绝缘的英语翻译：

be isolated from; insulation
【医】 insulate; insulation; isolate; isolation

基质的英语翻译：

【医】 base; base material; ground substance; ground-substance
interstitial substance; matrix; stroma; substantia basilaris; zymolite
zymolyte

单石电路的英语翻译：

【电】 monolithic circuit

专业解析

"绝缘基质单石电路"是一个电子工程领域的专业术语，结合汉英词典角度，其详细含义可拆解和解释如下：

术语拆解与汉英对照
- 绝缘 (Juéyuán / Insulation): 指材料阻止电流流动的特性。在电路中，绝缘材料用于隔离导电部分，防止短路或漏电。英文对应 "Insulation" 或 "Insulating"。
- 基质 (Jīzhì / Substrate): 指承载或支撑电路元件的基础材料层。在集成电路中，这是芯片的物理基底。英文对应 "Substrate"。
- 单石 (Dānshí / Monolithic): 源于英文 "Monolithic"，意为 "单块的"、"整体的"。在微电子学中，指所有电路元件（晶体管、电阻、电容、连线）都集成制造在同一块半导体晶片（通常是硅）内部或表面上，形成一个不可分割的整体电路。中文常音译为 "单石"。
- 电路 (Diànlù / Circuit): 指由电气元件互联构成的、具有特定功能的路径。英文对应 "Circuit"。
- 组合 (Combination): "绝缘基质单石电路" (Juéyuán Jīzhì Dānshí Diànlù / Insulating Substrate Monolithic Circuit)。
整体含义解释 "绝缘基质单石电路" 指的是一种制造在具有优异绝缘性能的基底材料上的单片集成电路。其核心特点包括：
- 单片集成 (Monolithic Integration): 所有有源（如晶体管）和无源（如电阻、电容）元件以及互连线，都通过半导体工艺（如光刻、掺杂、薄膜沉积、蚀刻）制作在同一块半导体晶片（通常是硅片）上或其内部，形成一个不可分割的单一芯片。
- 绝缘基底 (Insulating Substrate): 与传统的体硅 (Bulk Silicon) 基底不同，这种电路使用的基底材料本身具有很高的绝缘性。这带来了显著优势：
  - 减少寄生电容 (Reduced Parasitic Capacitance): 元件与导电基底之间的电容大大降低，提高了电路速度（尤其在高频下）并降低了功耗。
  - 消除闩锁效应 (Latch-up Immunity): 在 CMOS 电路中，绝缘基底可以完全消除由寄生双极晶体管引起的闩锁效应，提高了电路的可靠性和鲁棒性。
  - 更好的隔离 (Improved Isolation): 相邻元件之间的电隔离性更好，减少了串扰，允许更高的集成密度。
技术背景与常见实现最常见的实现 "绝缘基质单石电路" 的技术是绝缘体上硅 (Silicon-on-Insulator, SOI) 技术：
- 结构: SOI 晶圆由三层组成：最上层是用于制造器件的薄硅层 (Device Layer)，中间是绝缘层（通常是二氧化硅，称为 Buried Oxide 或 BOX），底层是支撑用的硅衬底 (Handle Wafer)。
- 工作原理: 有源器件（晶体管）制作在顶部的硅层中。中间的绝缘层（BOX）将顶部的器件硅层与底部的硅衬底隔离开来，实现了 "绝缘基质" 的特性。
- 优势: SOI 技术完美体现了 "绝缘基质单石电路" 的优势：高速、低功耗、抗辐射、抗闩锁、良好的隔离性。它广泛应用于高性能处理器、射频电路、汽车电子、航空航天等领域。
与相关术语的区别
- 单片集成电路 (Monolithic Integrated Circuit): 这是更通用的术语，泛指所有集成在同一芯片上的电路，其基底可以是传统的体硅或绝缘基底的 SOI。
- 绝缘体上硅 (SOI): 这是实现 "绝缘基质单石电路" 最主流、最具体的工艺技术。
- 混合集成电路 (Hybrid Integrated Circuit): 将多个独立的半导体芯片（单片集成电路）和无源元件组装在同一块绝缘基板（如陶瓷）上并互连而成。这与 "单石"（单片集成）的概念不同。

总结:

"绝缘基质单石电路" 特指采用具有高绝缘性能的材料作为基底的单片集成电路。其核心在于利用绝缘基底（如 SOI 技术中的埋氧层）来显著提升电路性能（速度、功耗、抗干扰、可靠性）。最常见的实现方式是绝缘体上硅 (SOI) 技术。该术语强调了基底材料的绝缘特性对单片集成电路性能的关键影响。

参考来源 (基于电子工程通用知识):

单片集成电路 (Monolithic Integrated Circuit): 这是微电子学的基础概念。其定义和特点可在任何标准的半导体器件或集成电路教材中找到，例如 S. M. Sze 的 "Semiconductor Devices: Physics and Technology" 或 R. C. Jaeger 的 "Introduction to Microelectronic Fabrication"。 (概念通用，无单一链接)
绝缘体上硅 (SOI) 技术: SOI 是实现绝缘基质单石电路的关键技术。其原理、结构和优势是半导体制造领域的标准知识。权威信息可参考：
- 国际半导体技术路线图 (ITRS) 或其后继者 IRDS (International Roadmap for Devices and Systems) 中关于 SOI 的讨论部分（需查阅其公开报告）。
- 主要半导体代工厂（如台积电 TSMC、格罗方德 GlobalFoundries、三星 Samsung）的技术文档或白皮书（通常在官网技术库部分，需具体查找）。
- 行业综述文章或书籍章节，例如 "SOI Technology: Materials to VLSI" (Jean-Pierre Colinge) 等专著。 (技术通用，厂商文档需具体查询)
寄生电容与闩锁效应: 这些是 CMOS 电路设计中的基本概念和挑战。其原理和 SOI 的解决方案在标准的 CMOS 集成电路设计教材中均有详细阐述，例如 J. M. Rabaey 的 "Digital Integrated Circuits: A Design Perspective"。 (概念通用，无单一链接)

(注：由于该术语是特定技术描述而非广泛使用的独立词条，在标准汉英词典中可能无直接对应。其解释需基于电子工程专业知识。以上参考来源指向了理解该术语所需的核心概念和技术领域。)

网络扩展解释

“绝缘基质单石电路”是一个电子工程领域的专业术语，其核心含义可从以下角度解析：

1. 术语分解

绝缘基质（Insulated Substrate）：指采用绝缘材料作为电路基底，例如陶瓷、玻璃或高分子聚合物。这类材料能有效阻隔电流传导，避免漏电或信号干扰。
单石电路（Monolithic Circuit）：又称单片集成电路，指将晶体管、电阻、电容等元件集成在同一块基板上，实现高密度微型化结构。

2. 整体含义

指以绝缘材料为基底的单片式集成电路，兼具两种特性：

绝缘性：基底材料阻断电流横向扩散，提升高频/高压场景下的稳定性；
集成性：所有元件一体化制造，减少寄生效应，适用于微型化设备。

3. 典型应用

常见于高频微波电路（如雷达模块）、高功率器件（如电源管理芯片）等场景，因绝缘基底可降低损耗并提高耐压能力。具体材料可能包括氧化铝陶瓷（Al₂O₃）或氮化铝（AlN）等。

注：由于该术语专业性较强，实际应用中需结合具体上下文进一步确认技术参数。如需扩展理解，可参考电子封装材料或集成电路制造相关文献。