晶體管增益英文解釋翻譯、晶體管增益的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 transistor gain

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

gain; plus
【計】 gain
【化】 gain

晶體管增益（Transistor Gain）是電子工程領域的核心參數，指晶體管放大輸入信號的能力。從漢英詞典角度，其對應英文術語為"Current Gain"或"Current Amplification Factor"，常用符號β表示。該參數直接決定電路的整體放大性能，主要分為兩種類型：

直流電流增益（β_DC）
定義為集電極電流(I_C)與基極電流(I_B)的比值： $$ β_{DC} = frac{I_C}{I_B} $$ 典型值範圍在20-200之間，具體數值取決于半導體材料和器件結構。
交流電流增益（β_AC）
表征動态工作條件下的放大能力，計算公式為： $$ β_{AC} = frac{Delta I_C}{Delta I_B} $$ 該參數會隨溫度變化，矽晶體管在25°C時每升高1°C，β值約增加0.5%-1%。

實際應用中需注意：

權威參考文獻包含IEEE 315标準對晶體管參數的明确定義，以及《半導體器件物理》教材中的載流子傳輸模型分析。工業級數據手冊建議參考TI、安森美等制造商公布的器件參數曲線。

晶體管增益是描述晶體管放大能力的關鍵參數，具體含義因晶體管類型和應用場景而異。以下是詳細解釋：

1. 基本定義晶體管增益指輸出信號與輸入信號的比值，反映晶體管對電流、電壓或功率的放大能力。它是放大器設計的核心指标，直接影響電路性能。

2. 主要類型

電流增益（β或hFE）：適用于雙極型晶體管（BJT）
- 定義為集電極電流（Ic）與基極電流（Ib）的比值：$$beta = frac{I_c}{I_b}$$
- 典型值範圍：20-200，高功率晶體管可能低至5-20
跨導增益（gm）：適用于場效應晶體管（FET/MOSFET）
- 定義為漏極電流變化量（ΔId）與栅源電壓變化量（ΔVgs）的比值：$$g_m = frac{Delta Id}{Delta V{gs}}$$
- 單位是西門子（S），典型值在毫西門子量級

3. 影響因素

4. 工程應用中的考量

5. 特殊增益參數

實際應用中需參考具體器件手冊，增益值會隨工作條件動态變化。設計時需通過仿真和實測驗證理論計算值。