晶体管增益英文解释翻译、晶体管增益的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 transistor gain

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

gain; plus
【计】 gain
【化】 gain

晶体管增益（Transistor Gain）是电子工程领域的核心参数，指晶体管放大输入信号的能力。从汉英词典角度，其对应英文术语为"Current Gain"或"Current Amplification Factor"，常用符号β表示。该参数直接决定电路的整体放大性能，主要分为两种类型：

直流电流增益（β_DC）
定义为集电极电流(I_C)与基极电流(I_B)的比值： $$ β_{DC} = frac{I_C}{I_B} $$ 典型值范围在20-200之间，具体数值取决于半导体材料和器件结构。
交流电流增益（β_AC）
表征动态工作条件下的放大能力，计算公式为： $$ β_{AC} = frac{Delta I_C}{Delta I_B} $$ 该参数会随温度变化，硅晶体管在25°C时每升高1°C，β值约增加0.5%-1%。

实际应用中需注意：

权威参考文献包含IEEE 315标准对晶体管参数的明确定义，以及《半导体器件物理》教材中的载流子传输模型分析。工业级数据手册建议参考TI、安森美等制造商公布的器件参数曲线。

晶体管增益是描述晶体管放大能力的关键参数，具体含义因晶体管类型和应用场景而异。以下是详细解释：

1. 基本定义晶体管增益指输出信号与输入信号的比值，反映晶体管对电流、电压或功率的放大能力。它是放大器设计的核心指标，直接影响电路性能。

2. 主要类型

电流增益（β或hFE）：适用于双极型晶体管（BJT）
- 定义为集电极电流（Ic）与基极电流（Ib）的比值：$$beta = frac{I_c}{I_b}$$
- 典型值范围：20-200，高功率晶体管可能低至5-20
跨导增益（gm）：适用于场效应晶体管（FET/MOSFET）
- 定义为漏极电流变化量（ΔId）与栅源电压变化量（ΔVgs）的比值：$$g_m = frac{Delta Id}{Delta V{gs}}$$
- 单位是西门子（S），典型值在毫西门子量级

3. 影响因素

4. 工程应用中的考量

5. 特殊增益参数

实际应用中需参考具体器件手册，增益值会随工作条件动态变化。设计时需通过仿真和实测验证理论计算值。