場效元件英文解釋翻譯、場效元件的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 field-effect device

field; a level open space; scene
【化】 field
【醫】 field; plant

effect; imitate; render

component; element; organ
【計】 E
【化】 element

場效元件（Field Effect Device）是半導體器件的重要類别，其核心工作原理是利用電場效應來控制電流的導通與關斷。以下是其詳細解釋：

一、術語定義與核心原理

漢英對照：場效元件 (Chǎng xiào yuánjiàn) - Field Effect Device (FED)。
核心機制：通過施加在栅極 (Gate) 上的電壓，在半導體材料（如矽）表面感應或耗盡出一個可控的導電溝道 (Channel)。溝道的電導率（即電阻）受栅極電壓的強烈調制，進而控制源極 (Source) 和漏極 (Drain) 之間的電流大小。這是一種電壓控制型器件，輸入阻抗極高。
關鍵特征：區别于雙極型晶體管（電流控制型），場效元件是單極性（多子）導電器件，主要依賴電子或空穴一種載流子工作。

二、主要類型場效元件主要分為兩大類：

結型場效應晶體管 (JFET - Junction Field-Effect Transistor):
- 利用反向偏置的PN結耗盡區寬度隨電壓變化的特性來控制溝道導電能力。
- 栅極與溝道直接形成PN結。
- 結構相對簡單，輸入阻抗高（但低于MOSFET）。
金屬-氧化物-半導體場效應晶體管 (MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor):
- 是目前應用最廣泛、最重要的場效元件。
- 栅極通過一層薄絕緣氧化物（如SiO₂）與半導體溝道隔離，形成類似電容的結構。
- 栅極電壓在半導體表面感應出電荷（反型層），形成導電溝道。
- 類型：
  - 增強型 (Enhancement Mode): 零栅壓下無溝道，需正（N溝）或負（P溝）栅壓形成溝道。
  - 耗盡型 (Depletion Mode): 零栅壓下存在溝道，栅壓可使其增強或耗盡。

三、核心特性與優勢

四、典型應用領域

參考資料：

《微電子器件（第4版）》陳星弼，張慶中編著，電子工業出版社。該書系統闡述了包括JFET和MOSFET在内的各種半導體器件物理原理、特性模型與應用。（章節：場效應晶體管）
《半導體物理學（第7版）》劉恩科，朱秉升，羅晉生等編著，電子工業出版社。作為半導體領域的經典教材，深入解釋了電場效應、載流子輸運等基礎物理機制。（章節：半導體表面與MIS結構）
IEEE Standards Association - IEEE Standard Definitions of Terms for Field-Effect Transistors (IEEE Std 319-1971 (Reaffirmed 2008))。該标準提供了場效應晶體管相關術語的權威定義。

“場效元件”是電子學領域的一個專業術語，其核心含義和解釋如下：

基本定義
場效元件（Field-Effect Device）指利用電場效應控制電流的半導體器件。這類元件通過施加外部電壓形成的電場，調節導電通道的電阻，從而控制電流大小。
典型代表
最常見的場效元件是場效應晶體管（FET），包括：
- MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應管）：通過栅極電壓控制源漏極電流，廣泛應用于集成電路。
- JFET（結型場效應管）：利用PN結反向偏置電壓控制導電溝道。
工作原理
通過改變栅極與源極之間的電壓，在半導體材料中形成或耗盡導電溝道，實現電流的導通或關斷。這種電場控制方式具有高輸入阻抗和低功耗的特點。
應用領域
場效元件是數字電路、模拟電路、功率電子設備的核心元件，例如CPU中的邏輯門、電源管理芯片、射頻放大器等。
術語拆分
- 場：指電場（Electric Field），控制元件工作的主要物理量。
- 效：指效應（Effect），即電場對電流的調控作用。
- 元件：即電子器件（Device），屬于半導體組件類别。

需要注意的是，該術語的英文直譯“field-effect device”在學術文獻中更常用，而中文“場效元件”主要用于工程領域。如需深入研究，建議參考《半導體器件物理》等專業書籍。