晶體管電流增益英文解釋翻譯、晶體管電流增益的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 transistor current gain

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

【電】 current gain

晶體管電流增益（Transistor Current Gain）是電子工程領域的核心參數，用于描述雙極型晶體管（BJT）的放大能力。其定義為輸出電流與輸入電流的比值，在電路設計中直接影響信號放大效率和系統穩定性。

晶體管電流增益主要有兩種形式：

共基極電流增益（α）：集電極電流（(I_C)）與發射極電流（(I_E)）的比值，即 (alpha = frac{I_C}{I_E})，通常小于1。
共射極電流增益（β）：集電極電流與基極電流（(I_B)）的比值，即 (beta = frac{I_C}{I_B})，典型值為20至200，部分高頻器件可達1000以上。

電流增益反映了載流子在半導體材料中的輸運效率。β值受以下因素影響：

在電路設計中，β值直接影響放大器的偏置穩定性。例如：

根據JEDEC JESD77B标準，β值的測量需在特定溫控條件下，使用脈沖測試法避免自熱效應（參考：IEEE标準文檔Xplore）。實際應用中可參考器件手冊，如安森美半導體提供的β-溫度曲線圖。

晶體管電流增益是描述其放大能力的關鍵參數，主要針對雙極型晶體管（BJT）。以下是詳細解釋：

定義與符號
- 電流增益（β或hFE）表示集電極電流（Ic）與基極電流（Ib）的比值，公式為： $$ beta = frac{I_c}{I_b} $$
- 共基極配置中對應的參數為α（α = Ic/Ie），但β更常用。
物理意義
- 反映基極電流對集電極電流的控制效率，β值越大，小基極電流可驅動更大集電極電流。
- 典型值範圍：小功率晶體管約20-200，大功率管可能低于20。
影響因素
- 溫度：溫度每升高1℃，β增加約0.5%-1%
- 工作點：隨集電極電流增大，β先升後降
- 工藝差異：同型號器件β值可能存在±50%偏差
應用注意事項
- 電路設計需考慮β的溫度漂移和離散性
- 高β管適合小信號放大，低β管多用于功率開關
- 實際測量時需區分直流β（hFE）與交流β（hfe）
相關參數對比 | 參數 | 定義| 典型範圍 | 應用場景 | |------|-------------|--------|--------------| | β| Ic/Ib | 20-200 | 共射極放大電路| | α| Ic/Ie | 0.95-0.995 | 共基極電路 | | hFE| 直流電流增益| 同β| 靜态工作點設計| | hfe| 交流小信號增益| 略高于hFE | 動态分析 |

該參數直接影響放大電路的輸入阻抗、電壓增益和穩定性，設計時需結合具體型號的datasheet選擇合適值。