晶体管电流增益英文解释翻译、晶体管电流增益的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 transistor current gain

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

【电】 current gain

晶体管电流增益（Transistor Current Gain）是电子工程领域的核心参数，用于描述双极型晶体管（BJT）的放大能力。其定义为输出电流与输入电流的比值，在电路设计中直接影响信号放大效率和系统稳定性。

晶体管电流增益主要有两种形式：

共基极电流增益（α）：集电极电流（(I_C)）与发射极电流（(I_E)）的比值，即 (alpha = frac{I_C}{I_E})，通常小于1。
共射极电流增益（β）：集电极电流与基极电流（(I_B)）的比值，即 (beta = frac{I_C}{I_B})，典型值为20至200，部分高频器件可达1000以上。

电流增益反映了载流子在半导体材料中的输运效率。β值受以下因素影响：

在电路设计中，β值直接影响放大器的偏置稳定性。例如：

根据JEDEC JESD77B标准，β值的测量需在特定温控条件下，使用脉冲测试法避免自热效应（参考：IEEE标准文档Xplore）。实际应用中可参考器件手册，如安森美半导体提供的β-温度曲线图。

晶体管电流增益是描述其放大能力的关键参数，主要针对双极型晶体管（BJT）。以下是详细解释：

定义与符号
- 电流增益（β或hFE）表示集电极电流（Ic）与基极电流（Ib）的比值，公式为： $$ beta = frac{I_c}{I_b} $$
- 共基极配置中对应的参数为α（α = Ic/Ie），但β更常用。
物理意义
- 反映基极电流对集电极电流的控制效率，β值越大，小基极电流可驱动更大集电极电流。
- 典型值范围：小功率晶体管约20-200，大功率管可能低于20。
影响因素
- 温度：温度每升高1℃，β增加约0.5%-1%
- 工作点：随集电极电流增大，β先升后降
- 工艺差异：同型号器件β值可能存在±50%偏差
应用注意事项
- 电路设计需考虑β的温度漂移和离散性
- 高β管适合小信号放大，低β管多用于功率开关
- 实际测量时需区分直流β（hFE）与交流β（hfe）
相关参数对比 | 参数 | 定义| 典型范围 | 应用场景 | |------|-------------|--------|--------------| | β| Ic/Ib | 20-200 | 共射极放大电路| | α| Ic/Ie | 0.95-0.995 | 共基极电路 | | hFE| 直流电流增益| 同β| 静态工作点设计| | hfe| 交流小信号增益| 略高于hFE | 动态分析 |

该参数直接影响放大电路的输入阻抗、电压增益和稳定性，设计时需结合具体型号的datasheet选择合适值。