晶體二極管英文解釋翻譯、晶體二極管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 crystal diode

分詞翻譯：

晶體的英語翻譯：

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal

二極管的英語翻譯：

diode
【化】 diode

專業解析

晶體二極管（Crystal Diode）是由半導體材料構成的非線性電子器件，其核心為PN結結構，具備單向導電特性。英文術語"Crystal Diiphode"源于早期使用晶體材料鍺/矽制造的曆史，現多稱"Semiconductor Diode"。

結構特性：通過半導體摻雜工藝形成P型與N型區域，交界面形成耗盡層。當施加正向偏壓（P區接正極）時耗盡層變窄，電流導通；反向偏壓則耗盡層增寬，呈現高阻态。該特性被廣泛應用于整流電路中。

技術參數包含：

• 正向壓降：矽管0.6-0.7V，鍺管0.2-0.3V
• 最大反向耐壓（VRRM）
• 結電容（影響高頻響應）

典型應用包括：

1. 電源整流（工頻交流轉直流）
2. 射頻檢波（調幅信號解調）
3. 靜電防護（TVS瞬态抑制）
4. 發光顯示（LED特殊類型）

行業标準參考美國電子工業協會JEDEC JESD77B文件對二極管測試方法的規定。國際電工委員會IEC 60747标準定義了半導體分立器件的環境耐受等級。

網絡擴展解釋

晶體二極管是一種基礎的半導體器件，其核心特性是單向導電性。以下是詳細解釋：

一、基本結構

由P型半導體和N型半導體結合形成PN結：

• P型半導體：摻入三價元素（如硼），形成空穴多數載流子
• N型半導體：摻入五價元素（如磷），形成電子多數載流子 兩者接觸後，在交界處形成耗盡層，阻止載流子自由擴散。

二、工作原理

1. 正向偏置（P接正極，N接負極）：
   • 外加電壓削弱耗盡層電場
   • 電流導通（矽管約0.7V導通，鍺管約0.3V）
2. 反向偏置（P接負極，N接正極）：
   • 耗盡層電場增強
   • 僅有微小反向飽和電流（理想情況下截止）

三、主要類型

四、關鍵參數

• 最大正向電流（$I_F$）：持續導通電流上限
• 反向擊穿電壓（$V_{BR}$）：最大耐受反向電壓
• 正向壓降（$V_F$）：導通時兩端電壓差
• 反向恢複時間（$t_{rr}$）：切換導通/截止的速度指标

五、典型應用

1. 整流電路：将交流電轉換為脈動直流
2. 信號檢波：從調制信號中提取信息（如AM收音機）
3. 電壓鉗位：ESD保護、電壓限幅
4. 邏輯門電路：早期數字電路基礎元件
5. 光電轉換：LED照明、光電傳感器

選型建議：需根據工作頻率、功率損耗、溫度範圍等參數匹配型號，高頻場景優先選擇肖特基二極管，高精度穩壓需考慮齊納二極管的溫度系數。

分類

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