晶体二极管英文解释翻译、晶体二极管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 crystal diode

分词翻译：

晶体的英语翻译：

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal

二极管的英语翻译：

diode
【化】 diode

专业解析

晶体二极管（Crystal Diode）是由半导体材料构成的非线性电子器件，其核心为PN结结构，具备单向导电特性。英文术语"Crystal Diiphode"源于早期使用晶体材料锗/硅制造的历史，现多称"Semiconductor Diode"。

结构特性：通过半导体掺杂工艺形成P型与N型区域，交界面形成耗尽层。当施加正向偏压（P区接正极）时耗尽层变窄，电流导通；反向偏压则耗尽层增宽，呈现高阻态。该特性被广泛应用于整流电路中。

技术参数包含：

• 正向压降：硅管0.6-0.7V，锗管0.2-0.3V
• 最大反向耐压（VRRM）
• 结电容（影响高频响应）

典型应用包括：

1. 电源整流（工频交流转直流）
2. 射频检波（调幅信号解调）
3. 静电防护（TVS瞬态抑制）
4. 发光显示（LED特殊类型）

行业标准参考美国电子工业协会JEDEC JESD77B文件对二极管测试方法的规定。国际电工委员会IEC 60747标准定义了半导体分立器件的环境耐受等级。

网络扩展解释

晶体二极管是一种基础的半导体器件，其核心特性是单向导电性。以下是详细解释：

一、基本结构

由P型半导体和N型半导体结合形成PN结：

• P型半导体：掺入三价元素（如硼），形成空穴多数载流子
• N型半导体：掺入五价元素（如磷），形成电子多数载流子 两者接触后，在交界处形成耗尽层，阻止载流子自由扩散。

二、工作原理

1. 正向偏置（P接正极，N接负极）：
   • 外加电压削弱耗尽层电场
   • 电流导通（硅管约0.7V导通，锗管约0.3V）
2. 反向偏置（P接负极，N接正极）：
   • 耗尽层电场增强
   • 仅有微小反向饱和电流（理想情况下截止）

三、主要类型

四、关键参数

• 最大正向电流（$I_F$）：持续导通电流上限
• 反向击穿电压（$V_{BR}$）：最大耐受反向电压
• 正向压降（$V_F$）：导通时两端电压差
• 反向恢复时间（$t_{rr}$）：切换导通/截止的速度指标

五、典型应用

1. 整流电路：将交流电转换为脉动直流
2. 信号检波：从调制信号中提取信息（如AM收音机）
3. 电压钳位：ESD保护、电压限幅
4. 逻辑门电路：早期数字电路基础元件
5. 光电转换：LED照明、光电传感器

选型建议：需根据工作频率、功率损耗、温度范围等参数匹配型号，高频场景优先选择肖特基二极管，高精度稳压需考虑齐纳二极管的温度系数。

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