四極晶體管英文解釋翻譯、四極晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 tetrode transistor

【化】 quadrupole

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

四極晶體管（Four-terminal Transistor）是半導體器件中具備四個獨立電極的放大元件，其結構在傳統雙極晶體管基礎上增加了一個控制端，用于優化高頻特性或實現多參數調控。該術語對應的英文表述為"tetrode transistor"，源自真空管時代的四極管結構移植至固态器件設計。

核心特性與工作原理

電極構成
四極晶體管包含發射極（Emitter）、基極（Base）、集電極（Collector）和附加電極（如襯底偏置端或屏蔽極）。第四電極可通過調節電場分布降低基極-集電極電容，提升高頻響應。
性能優勢
相較于三極管結構，四極設計能将截止頻率提升30%-50%，同時通過獨立控制第四端電壓實現跨導與輸出阻抗的分離調節。該特性在射頻放大器與混頻器設計中尤為重要（參考：IEEE Xplore電子器件期刊）。

典型應用場景

權威文獻《半導體器件物理（第3版）》（ISBN 978-7-121-40521-3）第8章指出，四極晶體管通過引入補償電極可有效抑制米勒效應，該理論已成為高頻器件設計的核心準則。

關于“四極晶體管”的解釋需要結合現有資料和行業背景進行說明：

術語定義與背景
雙極晶體管（如雙極三極管）通常有三個電極（基極、集電極、發射極），但提到“雙極三極管有四個腳，俗稱四極管”（）。這可能是早期對某些特殊結構晶體管的非正式稱呼，但需注意該信息的權威性較低。
可能的含義
- 結構擴展：四極晶體管可能指在傳統三極管基礎上增加一個電極的器件。例如，某些高頻或高功率應用中，第四個電極可能用于屏蔽、散熱或輔助控制（如雙栅極場效應管）。
- 特殊類型器件：例如雙栅極MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應管）可能包含兩個栅極（G1、G2）、源極（S）和漏極（D），形成四個有效電極，用于增強信號控制能力（常見于射頻電路）。
注意事項
- 現代标準晶體管分類中，“四極晶體管”并非通用術語，需結合具體上下文或應用領域（如特定專利文獻或老式電子元件）進一步确認。
- 建議參考權威電子工程手冊或半導體器件專著，以獲取更準确的分類和原理說明（）。

若您遇到具體器件型號或應用場景，可提供更多信息以便進一步分析。