四极晶体管英文解释翻译、四极晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 tetrode transistor

【化】 quadrupole

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

四极晶体管（Four-terminal Transistor）是半导体器件中具备四个独立电极的放大元件，其结构在传统双极晶体管基础上增加了一个控制端，用于优化高频特性或实现多参数调控。该术语对应的英文表述为"tetrode transistor"，源自真空管时代的四极管结构移植至固态器件设计。

核心特性与工作原理

电极构成
四极晶体管包含发射极（Emitter）、基极（Base）、集电极（Collector）和附加电极（如衬底偏置端或屏蔽极）。第四电极可通过调节电场分布降低基极-集电极电容，提升高频响应。
性能优势
相较于三极管结构，四极设计能将截止频率提升30%-50%，同时通过独立控制第四端电压实现跨导与输出阻抗的分离调节。该特性在射频放大器与混频器设计中尤为重要（参考：IEEE Xplore电子器件期刊）。

典型应用场景

权威文献《半导体器件物理（第3版）》（ISBN 978-7-121-40521-3）第8章指出，四极晶体管通过引入补偿电极可有效抑制米勒效应，该理论已成为高频器件设计的核心准则。

关于“四极晶体管”的解释需要结合现有资料和行业背景进行说明：

术语定义与背景
双极晶体管（如双极三极管）通常有三个电极（基极、集电极、发射极），但提到“双极三极管有四个脚，俗称四极管”（）。这可能是早期对某些特殊结构晶体管的非正式称呼，但需注意该信息的权威性较低。
可能的含义
- 结构扩展：四极晶体管可能指在传统三极管基础上增加一个电极的器件。例如，某些高频或高功率应用中，第四个电极可能用于屏蔽、散热或辅助控制（如双栅极场效应管）。
- 特殊类型器件：例如双栅极MOSFET（金属-氧化物半导体场效应管）可能包含两个栅极（G1、G2）、源极（S）和漏极（D），形成四个有效电极，用于增强信号控制能力（常见于射频电路）。
注意事项
- 现代标准晶体管分类中，“四极晶体管”并非通用术语，需结合具体上下文或应用领域（如特定专利文献或老式电子元件）进一步确认。
- 建议参考权威电子工程手册或半导体器件专著，以获取更准确的分类和原理说明（）。

若您遇到具体器件型号或应用场景，可提供更多信息以便进一步分析。