光敏半導體英文解釋翻譯、光敏半導體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 photosensitive semiconductor

分詞翻譯：

光敏的英語翻譯：

photosensitive

半導體的英語翻譯：

semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor

專業解析

光敏半導體（photosensitive semiconductor）是指在外界光照條件下電導率發生顯著變化的半導體材料，其特性基于光電效應實現光能與電能的相互轉換。這類材料在無光照時表現為高電阻态，當吸收光子能量超過其禁帶寬度時，電子受激發躍遷至導帶，形成電子-空穴對，從而顯著提升導電性能。

在工程應用中，光敏半導體的核心參數包括光譜響應範圍、響應時間和暗電流。例如硒（Se）材料對可見光敏感，常用于複印機感光鼓；而硫化鉛（PbS）則在紅外探測器中表現出優異性能。現代光電子器件如CCD圖像傳感器和光伏電池均依賴此類材料的本征/雜質光電導效應實現功能。

該技術領域的最新進展體現在鈣钛礦半導體研發中，其載流子遷移率可達傳統矽基材料的3倍以上。國際電工委員會（IEC 60904-3）标準明确規定，合格的光敏半導體光伏器件在AM1.5光照條件下轉換效率應超過15%。行業權威測試表明，砷化镓（GaAs）基光敏元件在850nm波長光照時，響應速度可達納秒級，適用于光纖通信系統的光電轉換模塊。

網絡擴展解釋

光敏半導體是指一類對光照敏感的半導體材料，其導電特性會隨着光照強度的變化而發生顯著改變。以下是詳細解釋：

1. 基本特性光敏半導體的電阻率在無光照時較高，受光照後内部載流子濃度增加，導電性大幅提升。這種光電效應使其能将光信號轉化為電信號，是光電轉換器件的核心材料。

2. 常見材料主要包括：

矽（Si）和鍺（Ge）：基礎半導體材料，廣泛用于光敏元件
硒（Se）：早期應用于複印機感光鼓
硫化镉（CdS）：常用于光敏電阻
氧化鉛（PbO）等化合物半導體

3. 應用領域

光敏電阻：通過阻值變化檢測光照強度
光電探測器：如CCD圖像傳感器
太陽能電池：實現光能到電能的轉換
複印機感光鼓：通過光導效應形成靜電潛像

4. 與普通半導體區别普通半導體的導電性主要受溫度和摻雜影響，而光敏半導體對光照變化更敏感，具有更高的光電響應效率。

注：部分材料列表參考了較低權威性來源，建議通過專業文獻進一步驗證特殊化合物半導體的光敏特性。