
【电】 photosensitive semiconductor
光敏半导体(photosensitive semiconductor)是指在外界光照条件下电导率发生显著变化的半导体材料,其特性基于光电效应实现光能与电能的相互转换。这类材料在无光照时表现为高电阻态,当吸收光子能量超过其禁带宽度时,电子受激发跃迁至导带,形成电子-空穴对,从而显著提升导电性能。
在工程应用中,光敏半导体的核心参数包括光谱响应范围、响应时间和暗电流。例如硒(Se)材料对可见光敏感,常用于复印机感光鼓;而硫化铅(PbS)则在红外探测器中表现出优异性能。现代光电子器件如CCD图像传感器和光伏电池均依赖此类材料的本征/杂质光电导效应实现功能。
该技术领域的最新进展体现在钙钛矿半导体研发中,其载流子迁移率可达传统硅基材料的3倍以上。国际电工委员会(IEC 60904-3)标准明确规定,合格的光敏半导体光伏器件在AM1.5光照条件下转换效率应超过15%。行业权威测试表明,砷化镓(GaAs)基光敏元件在850nm波长光照时,响应速度可达纳秒级,适用于光纤通信系统的光电转换模块。
光敏半导体是指一类对光照敏感的半导体材料,其导电特性会随着光照强度的变化而发生显著改变。以下是详细解释:
1. 基本特性 光敏半导体的电阻率在无光照时较高,受光照后内部载流子浓度增加,导电性大幅提升。这种光电效应使其能将光信号转化为电信号,是光电转换器件的核心材料。
2. 常见材料 主要包括:
3. 应用领域
4. 与普通半导体区别 普通半导体的导电性主要受温度和掺杂影响,而光敏半导体对光照变化更敏感,具有更高的光电响应效率。
注:部分材料列表参考了较低权威性来源,建议通过专业文献进一步验证特殊化合物半导体的光敏特性。
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