
【電】 film integrated circuit; thin-film integrated circuit
film; membrane; pellicle
【計】 thin membrane; thin-film
【醫】 film
【計】 intergrator
薄膜積分電路(Thin-Film Integrated Circuit)是微電子技術中的核心組件,指通過真空蒸發、濺射等工藝在絕緣基闆上沉積微米級薄膜(通常厚度小于1微米)形成的電路系統。其術語構成與特性如下:
薄膜(Thin Film)
指通過物理/化學氣相沉積形成的納米至微米級材料層,區别于厚膜技術的絲網印刷工藝。薄膜材料包括:
來源:《微電子制造科學》(Microelectronic Fabrication, S.M. Sze)
積分電路(Integrated Circuit)
"積分"源于對電路功能的集成化(Integration),即通過半導體工藝将晶體管、電阻、電容等元件集成于單一基闆。薄膜工藝尤其適用于高精度無源元件集成。
來源:IEEE電子器件協會技術報告(IEEE EDS Technical Report)
薄膜導體的趨膚效應低,且介質損耗小(如SiO₂損耗角正切值<0.001),適用于微波毫米波電路。
薄膜電阻公差可達±0.01%,溫度系數(TCR)低于±5 ppm/℃,優于厚膜技術10倍以上。
光刻工藝可實現線寬≤5μm的互連結構,集成密度達200元件/cm²。
雷達系統功率分配器(如薄膜 Wilkinson 功分器)、毫米波濾波器。
醫用pH傳感器電極電路、航天器溫度補償網絡。
超導薄膜諧振器(NbN/Si基)用于量子比特控制。
參數 | 薄膜電路 | 厚膜電路 |
---|---|---|
工藝方法 | 真空沉積+光刻 | 絲網印刷+燒結 |
線寬精度 | ≤5μm | ≥50μm |
電阻TCR | ±1~5 ppm/℃ | ±50~200 ppm/℃ |
成本 | 高(需潔淨室) | 低 |
數據來源:《混合微電子技術手冊》(Handbook of Hybrid Microelectronics, R.W. Johnson)
Thin Film Processes - Academic Press(需機構訪問權限)
NIST Thin Film Material Database(美國國家标準與技術研究院)
薄膜積分電路是結合薄膜技術與積分電路功能的一種電子元件,其核心特點在于制造工藝和性能優化。以下是詳細解釋:
積分電路是一種模拟信號運算電路,基于電容的充放電特性實現功能。主要作用包括:
薄膜電路通過真空沉積或濺射工藝在基闆(如陶瓷、玻璃)上形成納米至微米級厚度的導電/絕緣層,優勢包括:
結合兩者優勢,薄膜積分電路常用于:
雖然網頁未直接提及“薄膜積分電路”,但根據技術背景,其本質是傳統積分電路的工藝升級版本,通過薄膜技術提升性能和可靠性。實際設計中可能涉及薄膜電阻、電容的集成,以及多層布線優化信號路徑。
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