非晶質内存陣列英文解釋翻譯、非晶質内存陣列的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 amorphuos memory array

分詞翻譯：

非的英語翻譯：

blame; evildoing; have to; non-; not; wrong
【計】 negate; NOT; not that
【醫】 non-

晶質的英語翻譯：

crystalloid

内存的英語翻譯：

【計】 core storage; core store; EMS memory; internal storage; memory

陣的英語翻譯：

a period of time; battle array; blast; front
【機】 array

列的英語翻譯：

arrange; kind; line; list; row; tier; various
【計】 COL; column
【醫】 series

專業解析

非晶質内存陣列（Amorphous Memory Array）是一種基于非晶态半導體材料的存儲技術，其核心在于利用材料的相變特性實現數據存儲。以下從漢英詞典角度解析其詳細含義與技術原理：

一、術語定義與材料特性

非晶質（Amorphous）
指材料原子排列呈無序狀态，與晶體（Crystalline）的有序結構相反。在存儲器中，通常采用硫系合金（如鍺銻碲，GeSbTe）作為非晶态介質。

英文對照：Amorphous - A solid state lacking long-range atomic order.
内存陣列（Memory Array）
由存儲單元（Memory Cell）按行列排布形成的矩陣結構，每個單元通過地址線獨立訪問。

英文對照：Memory Array - A grid of memory cells organized for efficient data access.

二、工作原理

基于相變存儲器（PCRAM）技術：

寫入操作：電流脈沖加熱非晶材料，使其在非晶态（高阻，代表"0"）與晶态（低阻，代表"1"）之間可逆轉換。
讀取操作：施加低電壓檢測電阻差異，避免狀态擾動。
技術公式：
$$Delta R = R{text{amorphous}} - R{text{crystalline}} quad (text{典型值}>10)$$

電阻差構成二進制存儲基礎。

三、技術優勢與權威依據

高性能：
讀寫速度達納秒級，優于傳統閃存（NAND Flash）。英特爾3D XPoint技術（現稱Optane）即采用類似原理，延遲降低千倍。

高耐久性：
可承受$10^{12}$次寫入循環（NAND Flash僅約$10$次）。

結構簡化：
無需晶體管選通，單元尺寸可微縮至4F²（F為特征尺寸），提升存儲密度。

權威參考來源：

網絡擴展解釋

“非晶質内存陣列”并非計算機科學或材料學中的标準術語，可能是對某種技術概念的誤寫或混合表述。以下基于可能的關聯方向進行解釋：

1.可能的含義推測

非晶質（Amorphous）：指材料結構呈無序狀态，缺乏晶體長程有序性。例如，相變存儲器（PCM）利用硫系合金在非晶态（高電阻）和晶态（低電阻）之間的轉換存儲數據。
内存陣列（Memory Array）：指存儲單元按行列排布的矩陣結構，如DRAM或NAND閃存中的存儲單元布局。

若将兩者結合，可能指基于非晶态材料的存儲技術，例如：

相變存儲器（PCM）：通過電流加熱使材料在非晶/晶态間切換，實現數據存儲。
3D XPoint（如Intel Optane）：利用硫族化合物材料特性，雖未明确使用“非晶質”一詞，但原理與相變存儲類似。

2.常見混淆概念

非易失性内存（NVM）：如閃存、PCM等，斷電後保留數據，可能與“非晶質”特性相關。
新型存儲技術：部分研究探索非晶态氧化物半導體（如IGZO）用于高密度内存陣列，但尚未大規模商用。

3.建議

若需進一步讨論，請提供更多上下文或确認術語準确性。當前技術中，與“非晶質”相關的存儲技術以相變存儲器和3D XPoint最接近，其核心均依賴材料相變實現數據存儲。