非晶质内存阵列英文解释翻译、非晶质内存阵列的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 amorphuos memory array

分词翻译：

非的英语翻译：

blame; evildoing; have to; non-; not; wrong
【计】 negate; NOT; not that
【医】 non-

晶质的英语翻译：

crystalloid

内存的英语翻译：

【计】 core storage; core store; EMS memory; internal storage; memory

阵的英语翻译：

a period of time; battle array; blast; front
【机】 array

列的英语翻译：

arrange; kind; line; list; row; tier; various
【计】 COL; column
【医】 series

专业解析

非晶质内存阵列（Amorphous Memory Array）是一种基于非晶态半导体材料的存储技术，其核心在于利用材料的相变特性实现数据存储。以下从汉英词典角度解析其详细含义与技术原理：

一、术语定义与材料特性

非晶质（Amorphous）
指材料原子排列呈无序状态，与晶体（Crystalline）的有序结构相反。在存储器中，通常采用硫系合金（如锗锑碲，GeSbTe）作为非晶态介质。

英文对照：Amorphous - A solid state lacking long-range atomic order.
内存阵列（Memory Array）
由存储单元（Memory Cell）按行列排布形成的矩阵结构，每个单元通过地址线独立访问。

英文对照：Memory Array - A grid of memory cells organized for efficient data access.

二、工作原理

基于相变存储器（PCRAM）技术：

写入操作：电流脉冲加热非晶材料，使其在非晶态（高阻，代表"0"）与晶态（低阻，代表"1"）之间可逆转换。
读取操作：施加低电压检测电阻差异，避免状态扰动。
技术公式：
$$Delta R = R{text{amorphous}} - R{text{crystalline}} quad (text{典型值}>10)$$

电阻差构成二进制存储基础。

三、技术优势与权威依据

高性能：
读写速度达纳秒级，优于传统闪存（NAND Flash）。英特尔3D XPoint技术（现称Optane）即采用类似原理，延迟降低千倍。

高耐久性：
可承受$10^{12}$次写入循环（NAND Flash仅约$10$次）。

结构简化：
无需晶体管选通，单元尺寸可微缩至4F²（F为特征尺寸），提升存储密度。

权威参考来源：

网络扩展解释

“非晶质内存阵列”并非计算机科学或材料学中的标准术语，可能是对某种技术概念的误写或混合表述。以下基于可能的关联方向进行解释：

1.可能的含义推测

非晶质（Amorphous）：指材料结构呈无序状态，缺乏晶体长程有序性。例如，相变存储器（PCM）利用硫系合金在非晶态（高电阻）和晶态（低电阻）之间的转换存储数据。
内存阵列（Memory Array）：指存储单元按行列排布的矩阵结构，如DRAM或NAND闪存中的存储单元布局。

若将两者结合，可能指基于非晶态材料的存储技术，例如：

相变存储器（PCM）：通过电流加热使材料在非晶/晶态间切换，实现数据存储。
3D XPoint（如Intel Optane）：利用硫族化合物材料特性，虽未明确使用“非晶质”一词，但原理与相变存储类似。

2.常见混淆概念

非易失性内存（NVM）：如闪存、PCM等，断电后保留数据，可能与“非晶质”特性相关。
新型存储技术：部分研究探索非晶态氧化物半导体（如IGZO）用于高密度内存阵列，但尚未大规模商用。

3.建议

若需进一步讨论，请提供更多上下文或确认术语准确性。当前技术中，与“非晶质”相关的存储技术以相变存储器和3D XPoint最接近，其核心均依赖材料相变实现数据存储。