多射極電晶體英文解釋翻譯、多射極電晶體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 multiemitter transistor

excessive; many; more; much; multi-
【計】 multi
【醫】 multi-; pleio-; pleo-; pluri-; poly-

【電】 emitter

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal

多射極電晶體（Multiple-Emitter Transistor）是一種特殊設計的雙極結型晶體管（BJT），其結構包含多個發射極區域。該器件在數字集成電路中具有重要應用，例如經典TTL（晶體管-晶體管邏輯）電路中的輸入級設計。其核心特征表現為：

結構特性
傳統晶體管僅含單個發射極，而多射極版本通過半導體工藝集成2個及以上發射極，共享同一基極和集電極區域。這種拓撲結構允許同時處理多個輸入信號。
邏輯功能實現
當任意發射極輸入低電平時，器件進入深度飽和狀态，輸出端（集電極）呈現高電平。這種特性使其能夠天然實現"與非門"（NAND）功能，成為早期數字電路的基礎元件。
技術演進
德州儀器SN54/74系列邏輯芯片首次商業化應用該技術，通過發射極并聯結構有效降低功耗并提高開關速度。現代工藝中，該設計已被CMOS技術替代，但在部分抗輻射集成電路中仍有特殊應用。

該器件的工作原理可通過基爾霍夫電流定律分析：

$$ IE = sum{i=1}^n I_{Ei}

其中n代表發射極數量，這種電流疊加效應是其實現邏輯運算的物理基礎。

多射極電晶體是一種特殊結構的半導體器件，其核心特征在于單個電晶體（晶體管）中集成了多個發射極。以下為詳細解析：

定義與基本結構
多射極電晶體屬于雙極型晶體管（BJT）的變體，通常包含多個發射極、一個基極和一個集電極。這種結構常見于數字集成電路，尤其是早期的TTL（晶體管-晶體管邏輯）電路中。
工作原理
- 每個發射極可獨立接收輸入信號，基極控制電流放大，集電極輸出合成後的信號。
- 例如在TTL與非門中，多個發射極并聯：當所有輸入為高電平時，基極電流驅動集電極輸出低電平；任一輸入為低電平時，輸出保持高電平，實現邏輯“與非”功能。
核心優勢
- 集成度高：通過單晶體管實現多輸入邏輯，減少電路元件數量。
- 響應速度快：多個發射極縮短載流子路徑，提升開關速度。
典型應用場景
- 早期數字邏輯電路（如74系列邏輯芯片）；
- 高密度集成電路設計；
- 信號同步處理場景，如時鐘分配電路。
局限性
- 制程複雜度較高，現代CMOS工藝普及後使用減少；
- 多發射極間可能存在寄生電容，影響高頻性能。

這類設計體現了半導體器件在功能集成上的創新，其原理至今仍在特定高速邏輯電路中發揮作用。