多射极电晶体英文解释翻译、多射极电晶体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 multiemitter transistor

excessive; many; more; much; multi-
【计】 multi
【医】 multi-; pleio-; pleo-; pluri-; poly-

【电】 emitter

electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal

多射极电晶体（Multiple-Emitter Transistor）是一种特殊设计的双极结型晶体管（BJT），其结构包含多个发射极区域。该器件在数字集成电路中具有重要应用，例如经典TTL（晶体管-晶体管逻辑）电路中的输入级设计。其核心特征表现为：

结构特性
传统晶体管仅含单个发射极，而多射极版本通过半导体工艺集成2个及以上发射极，共享同一基极和集电极区域。这种拓扑结构允许同时处理多个输入信号。
逻辑功能实现
当任意发射极输入低电平时，器件进入深度饱和状态，输出端（集电极）呈现高电平。这种特性使其能够天然实现"与非门"（NAND）功能，成为早期数字电路的基础元件。
技术演进
德州仪器SN54/74系列逻辑芯片首次商业化应用该技术，通过发射极并联结构有效降低功耗并提高开关速度。现代工艺中，该设计已被CMOS技术替代，但在部分抗辐射集成电路中仍有特殊应用。

该器件的工作原理可通过基尔霍夫电流定律分析：

$$ IE = sum{i=1}^n I_{Ei}

其中n代表发射极数量，这种电流叠加效应是其实现逻辑运算的物理基础。

多射极电晶体是一种特殊结构的半导体器件，其核心特征在于单个电晶体（晶体管）中集成了多个发射极。以下为详细解析：

定义与基本结构
多射极电晶体属于双极型晶体管（BJT）的变体，通常包含多个发射极、一个基极和一个集电极。这种结构常见于数字集成电路，尤其是早期的TTL（晶体管-晶体管逻辑）电路中。
工作原理
- 每个发射极可独立接收输入信号，基极控制电流放大，集电极输出合成后的信号。
- 例如在TTL与非门中，多个发射极并联：当所有输入为高电平时，基极电流驱动集电极输出低电平；任一输入为低电平时，输出保持高电平，实现逻辑“与非”功能。
核心优势
- 集成度高：通过单晶体管实现多输入逻辑，减少电路元件数量。
- 响应速度快：多个发射极缩短载流子路径，提升开关速度。
典型应用场景
- 早期数字逻辑电路（如74系列逻辑芯片）；
- 高密度集成电路设计；
- 信号同步处理场景，如时钟分配电路。
局限性
- 制程复杂度较高，现代CMOS工艺普及后使用减少；
- 多发射极间可能存在寄生电容，影响高频性能。

这类设计体现了半导体器件在功能集成上的创新，其原理至今仍在特定高速逻辑电路中发挥作用。