多栅的英文解釋翻譯、多栅的的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 multigrid

分詞翻譯：

多的英語翻譯：

excessive; many; more; much; multi-
【計】 multi
【醫】 multi-; pleio-; pleo-; pluri-; poly-

栅的英語翻譯：

bar

專業解析

"多栅的"在電子工程領域的專業釋義

在電子工程（EE）與半導體器件領域，"多栅的" 是一個描述特定晶體管結構的專業術語，其對應的标準英文翻譯是"multigate"。

詳細解釋：

核心含義：
- "多栅的" 指代一種晶體管設計，其關鍵特征在于擁有多個栅極結構來控制溝道電流。這與傳統的平面金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）形成鮮明對比，傳統MOSFET通常隻有一個位于溝道頂部的栅極。
- 這種設計通過在溝道的多個側面（例如，兩側、三側甚至環繞）施加栅控電場，顯著增強了對溝道電流的控制能力。
技術目的與優勢：
- 多栅結構（如FinFET、GAA FET）是應對半導體器件持續微縮（遵循摩爾定律）所帶來的挑戰（主要是短溝道效應）的關鍵技術。
- 主要優勢包括：
  - 更強的溝道控制：多個栅極協同作用，能更有效地開啟和關閉溝道，顯著降低器件關閉狀态下的漏電流（亞阈值擺幅改善）。
  - 更低的功耗：降低漏電流直接帶來靜态功耗的減少。
  - 更高的性能：在相同功耗下，多栅器件通常能提供更高的驅動電流和開關速度。
  - 更好的可微縮性：使得晶體管能在更小的工藝節點（如22nm以下）繼續有效工作。
典型應用與實例：
- FinFET (鳍式場效應晶體管)：這是目前最成熟和廣泛應用的多栅晶體管技術。其溝道像魚鳍一樣豎立在襯底上，栅極包裹住鳍的三面（頂部和兩個側壁），形成三栅結構。它是現代先進邏輯芯片（如CPU、GPU、手機SoC）的主流器件結構。
- GAA FET (環繞栅極場效應晶體管)：這是FinFET的進一步演進。栅極材料完全環繞溝道（例如納米線或納米片），提供四面包圍甚至全環繞的栅控，被認為是3nm及以下節點的關鍵技術。GAA FET是"多栅的"概念的更極緻體現。
術語背景與重要性：
- "多栅的"概念是半導體器件物理和集成電路制造領域的核心進展之一。它代表了從二維平面器件向三維立體器件的重要轉變。
- 該術語及其代表的器件結構是現代高性能、低功耗集成電路得以持續發展的基石，在學術研究、産業研發和技術标準文檔中被廣泛使用和定義。

參考來源：

IEEE Xplore Digital Library: 作為電氣電子工程師學會（IEEE）的核心數據庫，收錄了大量關于多栅晶體管（Multigate Transistors）、FinFET、GAA FET的原創研究論文、綜述文章和會議報告，是定義和理解該技術及其術語的最高權威來源之一。 (概念性引用：
半導體行業領先企業（如Intel, TSMC, Samsung）的技術白皮書與制程節點介紹：這些公司的官方技術文檔詳細描述了其FinFET和GAA FET技術的實現、優勢和應用，是"多栅的"器件在産業界實際應用和定義的權威參考。 (概念性引用：
微電子器件标準教科書（如《半導體器件物理與工藝》）及權威綜述期刊（如Proceedings of the IEEE）：這些資源提供對多栅晶體管原理、發展曆史和關鍵特性的系統性和基礎性闡述。 (概念性引用：

網絡擴展解釋

“多栅”一詞主要作為名字使用，其含義和寓意可結合以下信息綜合解釋：

一、字義解析

多
- 五行屬性：屬火（來源網頁）。
- 本義：指學識廣博、財富豐足或多才多藝，常用于表達贊許（來源網頁）。
栅
- 讀音：此處讀作shān（來源網頁）。
- 五行屬性：屬木（來源網頁、網頁）。
- 本義：原指用竹木制成的阻攔物，如“栅欄”；在電子學中特指“栅極”（來源網頁）。在名字中引申為“珠簾玉栅”，形容華貴（來源網頁）。

二、組合寓意

“多栅”整體寓意為學識廣博、多才多藝，具體包含兩層意象：

博物多聞：形容見多識廣、知識淵博（來源網頁）。
珠簾玉栅：象征生活精緻或地位尊貴（來源網頁）。

三、使用建議

五行搭配：名字中“火+木”的組合，符合五行相生原理（木生火），可能被賦予運勢和諧的期待（來源網頁）。
適用場景：適合希望寄托才華、學識或高雅氣質的命名需求。

若需進一步了解“栅”字其他讀音（如zhà、cè）或組詞，和網頁。