内含尋址内存英文解釋翻譯、内含尋址内存的近義詞、反義詞、例句
英語翻譯:
【電】 content addressed memory
分詞翻譯:
内的英語翻譯:
inner; inside; within
【醫】 end-; endo-; ento-; in-; intra-
含的英語翻譯:
cherish; contain; keep in mouth
【機】 include
尋址的英語翻譯:
【計】 ADR
内存的英語翻譯:
【計】 core storage; core store; EMS memory; internal storage; memory
專業解析
内含尋址内存(英文:Integrated Addressing Memory)是一個計算機體系結構與數字電路設計領域的專業術語,指存儲器(Memory)的地址生成或譯碼邏輯電路與其存儲單元陣列物理集成在同一塊芯片(或模塊)内部的設計方式。
以下從漢英詞典角度對其詳細解釋:
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核心概念解析:
- 内含 (Integrated): 意指“集成在内部”。這裡特指地址邏輯電路(負責生成、選擇或譯碼訪問存儲單元所需的地址信號)不是獨立于存儲單元之外,而是與存儲單元陣列共同制造在同一半導體芯片上或封裝在同一模塊内。
- 尋址 (Addressing): 指為訪問存儲器中特定位置(存儲單元)而生成、傳輸和識别唯一地址标識符的過程。這是計算機訪問數據的基礎操作。
- 内存 (Memory): 指用于存儲程式指令和數據的物理硬件設備,通常指半導體隨機存取存儲器(RAM),如 SRAM、DRAM,但也可能包括 ROM 等。
- 整體含義: “内含尋址内存”描述的是一種存儲器設計架構,其特點是訪問該存儲器所需的地址控制邏輯(如行/列地址譯碼器、預充電電路等)被内置在存儲器芯片本身,而非完全依賴外部處理器或控制器來提供精細的地址時序和控制信號。
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技術特點與對比:
- 集成度高: 将地址邏輯與存儲單元集成,減少了芯片外部引腳數量(特别是地址總線引腳),簡化了與外部處理器或控制器的接口。
- 性能優化: 内置的地址譯碼器通常針對特定的存儲陣列結構進行優化,訪問路徑更短,理論上可以降低訪問延遲(Latency),提高訪問速度。
- 簡化外部控制: 外部控制器(如 CPU 或内存控制器)隻需提供相對高層的命令(如讀/寫命令、起始地址)和可能的部分地址信息,具體的行/列地址生成、譯碼、時序控制等由内存芯片内部邏輯完成。這與早期需要外部提供完整行列地址和複雜時序信號的設計不同。
- 常見應用: 現代主流的DRAM(如 SDRAM, DDR SDRAM 系列)和SRAM 芯片普遍采用内含尋址設計。例如,DRAM 芯片内部集成了行地址鎖存器(RAS)、列地址鎖存器(CAS)、地址譯碼器、靈敏放大器等關鍵尋址和控制電路。
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與相關概念的區分:
- 内存地址: 指内存中每個存儲單元的唯一編號(通常用二進制數表示),是尋址操作的目标标識符。
- 尋址方式: 指 CPU 或程式指定操作數内存地址的方法(如直接尋址、間接尋址、變址尋址等),屬于軟件/指令集架構層面。
- 内含尋址内存: 特指内存硬件本身物理集成地址處理邏輯電路這一硬件實現特征。它關注的是内存芯片内部如何接收、處理和響應地址信息以實現數據訪問。
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英文對應與翻譯:
- Integrated Addressing Memory 是最直接的英文翻譯,準确反映了“地址邏輯集成在内存内部”的核心含義。
- 在技術文獻中,也常通過描述其特性來表達這一概念,例如:
- Memory with on-chip address decoding (具有片上地址譯碼的内存)
- Self-decoding memory (自譯碼内存 - 強調其地址譯碼能力)
- Internally addressed memory (内部尋址内存 - 強調尋址過程在内部完成)
補充說明(内存尋址基本原理):
内存尋址的基本過程涉及将 CPU 發出的地址(邏輯地址)轉換為物理内存芯片上的具體行列位置。地址總線寬度決定了可尋址的内存空間大小。例如,一個具有 $n$ 位地址總線的系統,理論上可以尋址 $2^n$ 個獨立的内存單元。内含尋址内存芯片内部負責接收(可能是分時複用的)地址信號,将其鎖存、譯碼,最終選中目标存儲單元進行讀寫操作。
權威參考來源:
- IEEE Xplore Digital Library: 提供大量計算機體系結構和集成電路設計領域的學術論文與标準文檔,包含對内存架構(如 DRAM 内部結構)的詳細描述。其中關于内存控制器與 DRAM 接口(如 DDR 标準)的論文會深入探讨内含尋址的實現。 (例如:搜索 "DRAM internal architecture", "on-chip address decoding") https://ieeexplore.ieee.org
- Intel® Developer Zone (Memory Resources): Intel 提供關于其處理器平台内存技術(包括 DDR SDRAM)的白皮書、設計指南和文檔,會解釋現代内存模塊(如 DIMM)和芯片如何工作,内含尋址是其基礎。 https://www.intel.com/content/www/us/en/developer/topic-technology/memory-technology/resources.html
- ARM® Documentation (System Memory Interface): ARM 提供的系統 IP(如 CoreLink™ 内存控制器)文檔和技術參考手冊會描述其如何與内含尋址的 DRAM(如 LPDDR)進行交互。 https://developer.arm.com/documentation
- TechTarget (SearchStorage / SearchITChannel): 其技術百科(如 WhatIs.com)或深度文章有時會解釋基礎硬件概念,包括内存類型及其工作原理,可作為輔助理解。 (例如:搜索 "How DRAM works", "RAM addressing") https://www.techtarget.com/whatis/definition/DRAM-dynamic-random-access-memory
網絡擴展解釋
關于“内含尋址内存”這一表述,目前未找到标準技術術語與之完全對應。根據計算機體系結構相關知識,可能存在以下兩種解讀方向:
1. 集成内存控制器的尋址模式
現代處理器(如AMD K8架構及之後的CPU)将内存控制器集成在芯片内部,使CPU可直接訪問物理内存地址,減少傳統北橋架構的延遲。這種設計可能被理解為“内含”尋址能力的内存管理單元。
2. 内存模塊的智能尋址技術
在新型存儲技術(如Processing-in-Memory)中,内存模塊内部集成簡單計算單元,可對存儲内容進行初步處理。此類設計可能涉及内存單元自帶尋址邏輯,但該領域術語通常使用“存算一體”等表述。
建議補充說明:
若您指的是某種特定硬件架構或文獻中的專業表述,建議提供更多上下文(如應用場景、技術文檔片段等),以便進一步分析。标準計算機系統中,“内存尋址”一般指通過地址總線訪問存儲單元的過程,不單獨使用“内含”作為修飾詞。
分類
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