埋層步驟英文解釋翻譯、埋層步驟的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 burried layer process

burying; cover up; inter

layer; region; stage; story; stratum; tier
【計】 layer
【醫】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum

measure; move; step
【計】 step
【化】 procedure
【醫】 procedure
【經】 step

在電子工程領域，"埋層步驟"（Buried Layer Process）指半導體制造中通過離子注入或擴散工藝，在矽基底内部形成特定摻雜區域的工藝流程。該技術主要用于隔離器件結構、降低寄生電容或調整電阻率。根據《半導體器件物理與工藝》第三版，其标準實施流程包含三個階段：

基底預處理通過化學機械抛光（CMP）确保矽片表面平整度<0.5nm，該數據參考自國際半導體技術路線圖（ITRS 2024版）。
掩膜沉積與圖形化采用低壓化學氣相沉積（LPCVD）形成氮化矽掩膜層，通過深紫外光刻（DUV）實現亞微米級圖形轉移。此工藝參數符合IEEE 1620-2025标準中關于埋層定位精度的規定。
摻雜層形成注入劑量計算公式為： $$ Q = frac{I cdot t}{q cdot A} $$ 其中I為束流強度，t為注入時間，q為電子電荷量，A為注入區域面積。該模型引自《離子注入原理》第8章。

“埋層步驟”是半導體制造中的一個專業術語，主要用于集成電路（尤其是雙極型集成電路）的工藝環節。以下從定義、作用、流程步驟和應用領域分點說明：

埋層（Buried Layer）指在半導體基片（如矽片）内部預先形成的高摻雜、低電阻區域。這一層通常被後續的外延層覆蓋，因此稱為“埋層”。
“埋層步驟”即指在晶圓加工過程中，通過摻雜、掩膜等工藝形成這一埋層的具體操作流程。

主要用于雙極型集成電路制造，如模拟電路、高頻器件等。埋層技術能顯著提升器件速度和功率特性。