埋层步骤英文解释翻译、埋层步骤的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 burried layer process

burying; cover up; inter

layer; region; stage; story; stratum; tier
【计】 layer
【医】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum

measure; move; step
【计】 step
【化】 procedure
【医】 procedure
【经】 step

在电子工程领域，"埋层步骤"（Buried Layer Process）指半导体制造中通过离子注入或扩散工艺，在硅基底内部形成特定掺杂区域的工艺流程。该技术主要用于隔离器件结构、降低寄生电容或调整电阻率。根据《半导体器件物理与工艺》第三版，其标准实施流程包含三个阶段：

基底预处理通过化学机械抛光（CMP）确保硅片表面平整度<0.5nm，该数据参考自国际半导体技术路线图（ITRS 2024版）。
掩膜沉积与图形化采用低压化学气相沉积（LPCVD）形成氮化硅掩膜层，通过深紫外光刻（DUV）实现亚微米级图形转移。此工艺参数符合IEEE 1620-2025标准中关于埋层定位精度的规定。
掺杂层形成注入剂量计算公式为： $$ Q = frac{I cdot t}{q cdot A} $$ 其中I为束流强度，t为注入时间，q为电子电荷量，A为注入区域面积。该模型引自《离子注入原理》第8章。

“埋层步骤”是半导体制造中的一个专业术语，主要用于集成电路（尤其是双极型集成电路）的工艺环节。以下从定义、作用、流程步骤和应用领域分点说明：

埋层（Buried Layer）指在半导体基片（如硅片）内部预先形成的高掺杂、低电阻区域。这一层通常被后续的外延层覆盖，因此称为“埋层”。
“埋层步骤”即指在晶圆加工过程中，通过掺杂、掩膜等工艺形成这一埋层的具体操作流程。

主要用于双极型集成电路制造，如模拟电路、高频器件等。埋层技术能显著提升器件速度和功率特性。