基極寬度調變英文解釋翻譯、基極寬度調變的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 base width modulation

【計】 B
【化】 base

breadth; width
【醫】 width

melody; mix; move; suit well; transfer
【計】 debugging mode

become; change
【醫】 meta-; pecilo-; poecil-; poikilo-

基極寬度調變（Base Width Modulation）是雙極型晶體管（BJT）中的物理現象，指集電結反向偏置電壓變化時，基區有效寬度發生改變的現象。該效應由J.M. Early在1952年首次系統描述，因此又稱厄利效應（Early Effect）。

從器件物理角度分析，當集電結電壓$V_{CB}$增大時，集電結耗盡層向基區擴展，導緻基區有效寬度$W_B$減小。這種寬度變化可通過公式表達為： $$ WB = W{B0} - Delta W $$ 其中$W_{B0}$為零偏置時的基區寬度，$Delta W$與施加的集電結電壓成比例關系。

該現象直接影響晶體管特性：

工程應用中需特别注意基極寬度調變對模拟電路的影響。美國電氣電子工程師協會（IEEE）在《固态器件建模指南》中強調，精确的SPICE模型必須包含此效應的二階補償參數。實際電路設計中，常通過提高Early電壓、采用基區摻雜梯度設計等手段抑制該效應。

基極寬度調變（Base Width Modulation）是半導體器件（如雙極型晶體管）中的一個重要現象，指晶體管工作時基區的有效寬度因電壓變化而發生改變，從而影響器件特性的過程。以下是詳細解釋：

基極是晶體管三個電極（發射極、基極、集電極）之一，位于發射結與集電結之間。基極寬度調變特指當集電極-基極電壓（(V_{CB})）變化時，集電結耗盡層寬度會改變，導緻基區有效寬度（(W_B)）縮小或擴展的現象。

電路設計：在高精度模拟電路中需考慮該效應，可通過負反饋或器件結構優化（如異質結晶體管）來抑制。
器件模型：在SPICE模型中通過厄利電壓（(V_A)）參數描述這一現象，公式為： $$ I_C = IS left( e^{frac{V{BE}}{VT}} right) left( 1 + frac{V{CE}}{V_A} right) $$

基極寬度調變揭示了晶體管内部物理結構與電學特性的關聯，是理解器件非理想性和優化電路設計的關鍵因素之一。如需更深入的技術細節，可參考半導體物理或微電子器件相關教材。