基极宽度调变英文解释翻译、基极宽度调变的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 base width modulation

【计】 B
【化】 base

breadth; width
【医】 width

melody; mix; move; suit well; transfer
【计】 debugging mode

become; change
【医】 meta-; pecilo-; poecil-; poikilo-

基极宽度调变（Base Width Modulation）是双极型晶体管（BJT）中的物理现象，指集电结反向偏置电压变化时，基区有效宽度发生改变的现象。该效应由J.M. Early在1952年首次系统描述，因此又称厄利效应（Early Effect）。

从器件物理角度分析，当集电结电压$V_{CB}$增大时，集电结耗尽层向基区扩展，导致基区有效宽度$W_B$减小。这种宽度变化可通过公式表达为： $$ WB = W{B0} - Delta W $$ 其中$W_{B0}$为零偏置时的基区宽度，$Delta W$与施加的集电结电压成比例关系。

该现象直接影响晶体管特性：

工程应用中需特别注意基极宽度调变对模拟电路的影响。美国电气电子工程师协会（IEEE）在《固态器件建模指南》中强调，精确的SPICE模型必须包含此效应的二阶补偿参数。实际电路设计中，常通过提高Early电压、采用基区掺杂梯度设计等手段抑制该效应。

基极宽度调变（Base Width Modulation）是半导体器件（如双极型晶体管）中的一个重要现象，指晶体管工作时基区的有效宽度因电压变化而发生改变，从而影响器件特性的过程。以下是详细解释：

基极是晶体管三个电极（发射极、基极、集电极）之一，位于发射结与集电结之间。基极宽度调变特指当集电极-基极电压（(V_{CB})）变化时，集电结耗尽层宽度会改变，导致基区有效宽度（(W_B)）缩小或扩展的现象。

电路设计：在高精度模拟电路中需考虑该效应，可通过负反馈或器件结构优化（如异质结晶体管）来抑制。
器件模型：在SPICE模型中通过厄利电压（(V_A)）参数描述这一现象，公式为： $$ I_C = IS left( e^{frac{V{BE}}{VT}} right) left( 1 + frac{V{CE}}{V_A} right) $$

基极宽度调变揭示了晶体管内部物理结构与电学特性的关联，是理解器件非理想性和优化电路设计的关键因素之一。如需更深入的技术细节，可参考半导体物理或微电子器件相关教材。