基極英文解釋翻譯、基極的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 B
【化】 base

base; basic; foundation; key; primary; radix
【化】 group; radical
【醫】 base; basement; group; radical

bally; cruelly; extreme; fearfully; mighty; pole
【醫】 per-; pole; polus

在電子工程領域，"基極"（Base）是雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）的三個關鍵電極之一（另外兩個是發射極和集電極）。其核心含義與功能如下：

一、術語定義與核心功能

漢英對應：基極 -Base (通常縮寫為B)。
物理位置與作用：基極位于晶體管半導體結構的中間區域（P型或N型），是控制電極。其主要功能是接收一個較小的輸入電流（基極電流 (I_B)），通過電流放大作用，控制集電極和發射極之間更大的輸出電流（集電極電流 (I_C)）。這種以小控大的特性是晶體管實現信號放大、開關等功能的物理基礎。
電路符號：在電路圖中，基極通常是從晶體管符號中間引出的引腳。

二、工作機理詳解

電流控制機制：在NPN型晶體管中，當基極-發射極間施加正向偏置電壓時，電子從發射區注入基區。由于基區做得很薄且摻雜濃度低，大部分電子能擴散穿過基區到達集電區，形成集電極電流 (I_C)。基極電流 (I_B) 主要用來維持這個正向偏置和複合少量載流子。電流關系滿足： (I_C = beta I_B)，其中 (beta) 是電流放大系數。PNP型晶體管原理類似，載流子為空穴，電壓極性相反。
放大作用：基極電流的微小變化 (Delta I_B) 會引起集電極電流的顯著變化 (Delta I_C = beta Delta I_B)，從而實現電流放大。

三、關鍵特性參數

輸入特性：描述基極電流 (IB) 與基極-發射極電壓 (V{BE}) 之間的關系曲線，類似于二極管的正向特性。
輸出特性：描述在不同基極電流 (I_B) 下，集電極電流 (IC) 與集電極-發射極電壓 (V{CE}) 之間的關系曲線族。這些曲線展示了晶體管的放大區、飽和區和截止區。

四、應用場景

權威參考來源：

清華大學電子工程系《模拟電子技術基礎》教材 - 詳細闡述BJT結構與工作原理 (來源：清華大學出版社)。
IEEE Standards Association - IEEE Std 315《Graphic Symbols for Electrical and Electronics Diagrams》 - 定義晶體管标準電路符號 (來源：IEEE Xplore Digital Library)。
Sedra & Smith《Microelectronic Circuits》 - 國際經典教材，深入分析BJT特性曲線與模型 (來源：Oxford University Press)。

基極是雙極性晶體管（BJT，Bipolar Junction Transistor）中的關鍵電極之一，與發射極、集電極共同構成晶體管的三端器件。它在晶體管的工作中起到控制電流的核心作用，具體解釋如下：

基極位于晶體管的中間層，材料類型與兩側的發射極和集電極相反。例如：

基極的物理結構非常薄（微米級），且摻雜濃度較低，這有助于載流子（電子或空穴）快速通過基區，減少複合損耗，從而提升效率。

基極通過輸入小電流（基極電流 (I_b)）控制集電極的大電流 (I_c)，其關系可用公式表示： $$ I_c = beta I_b $$ 其中，(beta) 是晶體管的電流放大系數，通常為幾十到幾百倍。這種特性使晶體管具備信號放大功能，廣泛應用于放大器電路。

基極的電壓偏置決定了晶體管的工作狀态：

基極是晶體管中用于調控電流的核心電極，其結構設計和偏置條件直接影響器件性能。理解基極的運作原理，是掌握模拟電路與數字電路設計的基礎。若需進一步了解晶體管分類或電路實例，可參考電子技術教材或專業資料。